BLP15M9S70GZ

5 875,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLP15M9S70GZ от Ampleon

Общее описание:

BLP15M9S70GZ - это мощный RF MOSFET транзистор LDMOS, произведенный компанией Ampleon. Этот компонент предназначен для усиления радиочастотного сигнала в диапазоне частот до 1.3 ГГц и может выдавать выходную мощность до 70 Вт. Транзистор выполнен в корпусе SOT1483-1 и предназначен для поверхностного монтажа.

Преимущества:

  • Высокая мощность: До 70 Вт выходной мощности.
  • Высокий коэффициент усиления: 23.5 дБ, что позволяет существенно увеличить мощность сигнала.
  • Способность работать с высокими напряжениями: До 32 В для тестирования и до 65 В допустимого напряжения.
  • Низкий ток утечки: Всего 1.4 µA, что повышает экономичность и надежность устройства.

Недостатки:

  • Высокая стоимость: В сравнении с другими транзисторами RF MOSFET, цена может быть выше из-за высоких технических характеристик.
  • Поверхностный монтаж: Требует определенного уровня навыков для монтажа и пайки.

Типовое использование:

  • Мобильные коммуникации: Усилители мощности для базовых станций.
  • Беспроводные системы передачи данных: Усилители для различных беспроводных приложений.
  • Радиочастотные идентификационные системы (RFID).
  • Передатчики для различных радиочастотных устройств.

Рекомендации по применению:

  • Правильное охлаждение: Убедитесь, что транзистор имеет достаточную систему охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Четкое соблюдение технических параметров: Избегайте превышения рекомендованных значений мощности и напряжения.
  • Использование качественных компонентов: Для обеспечения надежной работы всей схемы используйте качественные радиокомпоненты и материалы.

Основные технические характеристики:

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Dual, Common Source
  • Частота: До 1.3 ГГц
  • Коэффициент усиления: 23.5 дБ
  • Тестовое напряжение: 32 В
  • Ток при тестировании: 200 мА
  • Выходная мощность: 70 Вт
  • Допустимое напряжение: До 65 В
  • Ток утечки: 1.4 µA
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус / упаковка: SOT1483-1

Возможные аналоги:

  • MRF6VP121KH от NXP Semiconductors
  • MRFE6VP61K25H от NXP
  • BLP15H9S70G от Ampleon

Этот компонент является отличным выбором для высокопроизводительных радиочастотных приложений, обеспечивая надежность и эффективность работы.

Описание товара

  • digikey: 1603-BLP15M9S70GZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 32V SOT1483-1 DetailedDescription: RF Mosfet 32 V 200 mA 1.3GHz 23.5dB 70W SOT1483-1 Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: Dual, Common Source Frequency: 1.3GHz Gain: 23.5dB Voltage - Test: 32 V Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Current - Test: 200 mA Power - Output: 70W Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1483-1 Supplier Device Package: SOT1483-1

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК