BLP15M9S30GZ

Полевой транзистор ВЧ LDMOS BLP15M9S30GZ от Ampleon

Общее описание

BLP15M9S30GZ — это высокочастотный полевой транзистор (RF MOSFET) с латеральной диффузионной структурой металлооксида (LDMOS). Этот компонент спроектирован и изготовлен компанией Ampleon для усиления мощного сигнала в диапазоне частот до 1.5 ГГц. Транзистор имеет номинальную мощность выхода 30 Вт и при этом обеспечивает усиление на уровне 19.3 дБ. Упакован в корпусе SOT-1483-1 для поверхностного монтажа (SMD).

Преимущества

• Высокая мощность: Номинальная выходная мощность 30 Вт.
• Высокое усиление сигнала: Коэффициент усиления достигает 19.3 дБ.
• Технология LDMOS: Обеспечивает надежность и долгосрочную стабильность.
• Компактный размер: Корпус SOT-1483-1 для компактных приложений.
• Простота монтажа: Ориентирован на поверхностный монтаж (SMD), что упрощает сборку и уменьшает затраты на производство.

Недостатки

• Чувствительность к температуре: Как и большинство высокочастотных транзисторов, требует эффективного отвода тепла.
• Защита от перенапряжения: Нуждаются в дополнительных схемах защиты от перенапряжения из-за чувствительности к высоким напряжениям.

Типовое использование

• Высокочастотные усилители мощности
• Базовые станции мобильной связи
• Радары и коммуникационные системы
• Устройства передачи данных в радиочастотных диапазонах

Рекомендации по применению

1. Термическое управление: Обеспечьте адекватное охлаждение и термическое управление для стабильной работы.
2. Согласование импеданса: Используйте правильное согласование импеданса для достижения максимальной эффективности и минимизации потерь сигнала.
3. Защита: Установите схемы защиты от перенапряжения и перегрузки по току.

Основные технические характеристики

Возможные аналоги

• BLP10M9S25G от Ampleon
• MRFE6S9160HSR5 от NXP
• AFP1A170-36S от MACOM

BLP15M9S30GZ от Ampleon — это надежный и высокопроизводительный выбор для ваших высокочастотных приложений, где требуются высокая мощность и надежность в компактном формате.