BLP15M9S100Z

BLP15M9S100Z от Ampleon

Общее описание

BLP15M9S100Z – это мощный RF MOSFET на базе LDMOS технологии, предназначенный для использования в радиочастотных усилителях. Этот компонент работает при напряжении до 32 В и предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SOT-1482-1. Благодаря выдающимся характеристикам линейности и высокому коэффициенту усиления, BLP15M9S100Z находит широкое применение в области связи и радиочастотных систем.

Преимущества

• Высокий выходной импеданс: обеспечивает эффективную передачу мощности.
• Высокая термостабильность: увеличивает надежность и долговечность работы устройства.
• Отличная линейность: минимизирует искажения сигнала.
• Поверхностный монтаж: облегчает интеграцию в современные компактные устройства.

Недостатки

• Высокая стоимость: В сравнении с обычными MOSFET транзисторами, стоимость LDMOS может быть выше.
• Нуждается в охлаждении: Для достижения максимальной мощности необходима эффективная система охлаждения.

Типовое использование

• Усилители мощности в базовых станциях мобильной связи.
• Радиочастотные ретрансляторы.
• Устройства беспроводной связи.
• Промышленные и медицинские RF усилители.

Рекомендации по применению

• Использование эффективных схем охлаждения для предотвращения перегрева.
• Настройка схемы усилителя для обеспечения оптимальной работы в диапазоне частот до 1.5 ГГц.
• Обеспечение качественного монтажа для минимизации паразитных индуктивностей и емкостей.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Рабочая частота: до 1.5 ГГц
• Коэффициент усиления: 15.7 дБ
• Напряжение питания (тестовое): 32 В
• Ток тесто: 400 мА
• Выходная мощность: до 100 Вт
• Макс. напряжение: 65 В
• Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
• Корпус: SOT-1482-1

Возможные аналоги

• MRF9120M от NXP Semiconductors
• PMRF8A от Freescale Semiconductor
• BLF6G22-60 от Ampleon

Использование компонента BLP15M9S100Z в ваших схемах усилителей обеспечит отличное качество передачи сигнала и высокую выходную мощность при компактных размерах и надежной работе.