BLP15M9S100GZ

6 086,40 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLP15M9S100GZ от Ampleon

Общее описание

BLP15M9S100GZ — это высокопроизводительный LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) транзистор, предназначенный для работы в радиочастотном диапазоне (RF). Этот компонент оптимизирован для мощных RF приложений, предлагая высокую линейность, стабильность и надежность. Он поставляется в корпусе SOT-1483-1, который обеспечивает удобный монтаж на печатную плату.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Компонент обеспечивает мощность до 100 Вт при напряжении питания 32 В.
  • Отличные частотные характеристики: Работает на частотах до 1.4 ГГц, что делает его идеальным для широкого спектра RF приложений.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает коэффициент усиления до 18 дБ, что значительно повышает эффективность работы.
  • Удобный монтаж: Компактный корпус SOT-1483-1 позволяет легко интегрировать компонент в различные схемы проектирования.

Недостатки

  • Теплоотдача: Высокая мощность требует эффективного управления теплоотдачей.
  • Специфические требования к установке: Для оптимальной работы необходимо соблюдать рекомендации производителя по установке и использованию.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи
  • Радиопередающие устройства
  • Усилители мощности
  • Военные и аэрокосмические приложения

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте соответствующее охлаждение для эффективного управления тепловыми характеристиками.
  • Используйте рекомендованные Производителем уровни напряжения и тока для предотвращения перегрева и повреждения компонента.
  • Изучите документацию производителя на предмет оптимальных условий монтажа и эксплуатации.

Технические характеристики

  • Конфигурация: Двойной, общего истока
  • Частота: до 1.4 ГГц
  • Коэффициент усиления: до 18 дБ
  • Напряжение тестирования: 32 В
  • Ток при тестировании: 900 мА
  • Выходная мощность: до 100 Вт
  • Напряжение рейтинг: 65 В
  • Тип корпуса: SOT-1483-1

Аналоги

  • BLP9H10S120P от Ampleon
  • MRF1517HR5 от NXP
  • PTFA091501E от Infineon

Для получения более подробной информации, включая схемы подключения и рекомендации по проектированию, пожалуйста, обратитесь к официальной документации и руководствам от производителя Ampleon.

Описание товара

  • digikey: 1603-BLP15M9S100GZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 32V SOT1483-1 DetailedDescription: RF Mosfet 32 V 900 mA 1.4GHz 18dB 100W SOT1483-1 Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: Dual, Common Source Frequency: 1.4GHz Gain: 18dB Voltage - Test: 32 V Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Current - Test: 900 mA Power - Output: 100W Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1483-1 Supplier Device Package: SOT1483-1

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК