BLP15H9S10Z

4 927,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLP15H9S10Z от Ampleon

Общее описание

BLP15H9S10Z — это мощный полевой транзистор (RF MOSFET) на базе технологии LDMOS, предназначенный для работы на частотах до 1.4 ГГц. Данный компонент изготовлен компанией Ampleon и упакован в корпус SOT-1482-1.

Преимущества

  • Высокая мощность: Может достигать выходной мощности до 10 Вт.
  • Высокое усиление: Предоставляет усиление до 22 дБ.
  • Высокая надежность: Устойчив к напряжению в 50 В при высокой постоянности работы.

Недостатки

  • Чувствительность к статическому электричеству: Требует осторожного обращения и защиты от ЭДС.

Типовое использование

  • Усилители мощности в базовых станциях мобильной связи
  • Радиосвязь
  • Беспроводные коммуникации

Рекомендации по применению

  • Для улучшения стабильности работы и уменьшения нагрева рекомендуется использование теплоотводов.
  • Убедитесь в надлежащем заземлении и защите схемы от перегрузок.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: до 1.4 ГГц
  • Коэффициент усиления: 22 дБ
  • Номинальное напряжение: 50 В
  • Ток теста: 60 мА
  • Выходная мощность: 10 Вт
  • Конфигурация: Dual, Common Source
  • Корпус: SOT-1482-1

Возможные аналоги

  • BLP10H9S10: Немного менее мощный, но в том же частотном диапазоне.
  • BLF8G22LS-160AV: Более мощный и предназначенный для более высоких частот.

Используйте BLP15H9S10Z от Ampleon для создания эффективных и стабильных решений в области беспроводных коммуникаций и усилителей мощности.

Описание товара

  • digikey: 1603-BLP15H9S10ZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 DetailedDescription: RF Mosfet 50 V 60 mA 1.4GHz 22dB 10W SOT-1482-1 Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: Dual, Common Source Frequency: 1.4GHz Gain: 22dB Voltage - Test: 50 V Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Current - Test: 60 mA Power - Output: 10W Voltage - Rated: 104 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1482-1 Supplier Device Package: SOT-1482-1

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК