BLP15H9S10GZ

BLP15H9S10GZ от Ampleon

Общее описание

BLP15H9S10GZ - это высокочастотный MOSFET транзистор типа LDMOS от компании Ampleon. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот до 1.4 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 10 Вт.

Преимущества

• Высокое усиление: Коэффициент усиления составляет 22 dB, что позволяет использовать транзистор в усилительных каскадах.
• Повышенная прочность: Рабочее напряжение 50 В и максимальное напряжение 104 В гарантируют надежность работы в различных условиях.
• Компактность и удобство монтажа: Выпускается в SMT корпусе SOT1483-1, что облегчает интеграцию в схемы.

Недостатки

• Ограниченный частотный диапазон: Максимальная рабочая частота ограничена 1.4 ГГц.
• Специфичность применения: Позиционируется как компонент для профессиональных RF применений.

Типовое использование

• Усиление мощности в радиочастотных передатчиках
• Базовые станции сотовой связи и радиомодемы
• Промышленные радиопередатчики

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Необходима должная система охлаждения для эффективного отвода тепла и предотвращения перегрева.
• Рабочее напряжение: Следует строго придерживаться указанных рабочих напряжений для обеспечения надежной и долговременной работы.
• Пайка и монтаж: Рекомендуется использовать подложки с высокой теплопроводностью и качественно выполнять пайку, чтобы избежать повреждений.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS
• Частотный диапазон: до 1.4 ГГц
• Коэффициент усиления: 22 dB
• Выходная мощность: 10 Вт
• Тестовое напряжение: 50 В
• Тестовый ток: 60 мА
• Напряжение максимальное: 104 В
• Корпус: SOT1483-1

Возможные аналоги

• MRF151G от NXP Semiconductors
• PD55003-E от STMicroelectronics
• PTVA041002EA-V1 от WolkRF

Этот MOSFET транзистор от Ampleon является отличным решением для радиочастотных приложений, требующих высокой выходной мощности и стабильно высокого коэффициента усиления.