BLP15H9S100Z

6 086,40 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLP15H9S100Z от Ampleon

Общее описание

BLP15H9S100Z – это высокочастотный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Ampleon. Он предназначен для работы в диапазоне частот до 1.5 ГГц и предлагает выходную мощность до 100 Вт. Данный компонент часто используется в различных высокочастотных приложениях, включая радиочастотные усилители, трансиверы и радиопередатчики.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 100 Вт, что позволяет использовать транзистор в мощных передающих устройствах.
  • Высокий коэффициент усиления: 19 дБ при 30 мА, обеспечивающий улучшенную производительность усилителей.
  • Низкая утечка тока: порядок 1.4 мкА, что способствует энергоэффективности устройства.
  • Высокая надежность: рассчитан на работу при напряжении до 106 В, что увеличивает долговечность эксплуатации.

Недостатки

  • Ограничение по частотному диапазону: эффективная работа до 1.5 ГГц, что может не подходить для сверхвысокочастотных приложений.
  • Необходимость правильного монтажа и охлаждения: для достижения максимальной производительности требуется специальное внимание к терморегулированию и монтажу.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности
  • Трансиверы
  • Радиопередатчики
  • Устройства беспроводной связи
  • Базовые станции сотовой связи

Рекомендации по применению

  • Используйте подходящие радиаторы и системы охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Обеспечьте правильный монтаж в корпус типа SOT-1482-1 для избежания механических повреждений.
  • При проектировании схемы учитывайте спецификации по мощности и напряжению для достижения наилучшей производительности и надежности.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: до 1.5 ГГц
  • Коэффициент усиления: 19 дБ при 30 мА
  • Напряжение тестирования: 50 В
  • Ток утечки: 1.4 мкА
  • Выходная мощность: до 100 Вт
  • Максимальное рабочее напряжение: 106 В
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: SOT-1482-1

Возможные аналоги

  • MRF151G от Motorola
  • BLF6G20-200 от NXP Semiconductors
  • PTFA092201FL от Infineon Technologies

Данный MOSFET идеально подходит для использования в высокочастотных приложениях, где требуется высокая выходная мощность и надежность.

Это описание можно использовать для интернет-магазина электронных компонентов, чтобы предоставить покупателям всю необходимую информацию о BLP15H9S100Z от Ampleon.

Описание товара

  • digikey: 1603-BLP15H9S100ZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 DetailedDescription: RF Mosfet 50 V 30 mA 1.5GHz 19dB 100W SOT-1482-1 Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Frequency: 1.5GHz Gain: 19dB Voltage - Test: 50 V Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Current - Test: 30 mA Power - Output: 100W Voltage - Rated: 106 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1482-1 Supplier Device Package: SOT-1482-1

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК