BLP05H6350XRGY

14 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLP05H6350XRGY от Ampleon

Общее описание

MOSFET-транзистор BLP05H6350XRGY от компании Ampleon предназначен для применения в радиочастотных (RF) цепях. Этот высокоэффективный LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) транзистор обладает высокой выходной мощностью и низким стоячей волны коэффициентом (VSWR). Это делает его отличным решением для усилителей мощности в радиочастотных приложениях.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 350 Вт, что делает его подходящим для работы в мощных RF-усилителях.
  • Увеличенный коэффициент копированного напряжения: Выдерживает напряжение до 50 В.
  • Низкий коэффициент теплового сопротивления: Обеспечивает эффективное рассеивание тепла и увеличивает надежность устройства.
  • Простота монтажа: Компактный корпус 4-HSOP делает установку на печатную плату быстрой и удобной.

Недостатки

  • Обозначен как устаревший: Это может затруднить его замену и обслуживание в будущем.
  • Требует тщательного отвода тепла: Несмотря на низкий коэффициент теплового сопротивления, трансистор требует эффективной системы охлаждения для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Мобильные и радиочастотные базовые станции
  • Усилители радиочастотной мощности
  • Системы радиосвязи

Рекомендации по применению

  • Использование радиаторов для отвода тепла рекомендуется для обеспечения стабильной работы и продления срока службы.
  • Настраивайте устройство в соответствии с заданными рабочими характеристиками (для этого может понадобиться использовать симуляции).
  • Не превышайте указанные напряжения и токи, чтобы избежать повреждения устройства.

Основные технические характеристики

  • Конфигурация: Общий источник, два канала
  • Частота: 108 МГц
  • Усиление: 27 дБ
  • Напряжение тестирования: 50 В
  • Ток тестирования: 100 мА
  • Мощность на выходе: 350 Вт
  • Номинальное напряжение: 135 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: 4-HSOP (ширина 4.40 мм)

Возможные аналоги

  • MRF151G от NXP Semiconductors: Также высокоэффективный LDMOS с схожими характеристиками для RF-приложений.
  • BLF645 от Ampleon: Мощный транзистор, предназначенный для работы в радиочастотных цепях.
  • PTFC260851M от Wolfspeed: Еще один высокопроизводительный LDMOS транзистор для усилителей мощности.

Использование BLP05H6350XRGY в ваших проектах обеспечивает надежное и эффективное решение для различных радиочастотных применений, при условии соблюдения всех рекомендаций и характеристик.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК