BLM7G1822S-80PBY

BLM7G1822S-80PBY - Ampleon

Общее описание

BLM7G1822S-80PBY от Ampleon - это высокоэффективный полевой транзистор (FET) на основе технологии LDMOS, разработанный для применения в мощных радиочастотных усилителях. Этот транзистор предназначен для работы в частотном диапазоне от 1800 МГц до 2200 МГц и обеспечивает выходную мощность до 80 Вт при напряжении питания 28 В.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 80 Вт, что делает его подходящим для мощных передатчиков.
• Широкий частотный диапазон: от 1800 МГц до 2200 МГц, что обеспечивает гибкость в различных приложениях.
• Эффективность: низкие потери и высокая линейность.
• Простота интеграции: корпус SOT-1211-2 и компактный размер видоупрощают монтаж и интеграцию в схемы.

Недостатки

• Ограничение по напряжению питания: устройство рассчитано на 28 В, что может потребовать использование стабилизированного источника питания.
• Не рекомендуется для новых разработок: статус "Not For New Designs" указывает на то, что могут быть новые и более подходящие решения для новых проектов.

Типовое использование

• Мобильные и базовые станции: идеально подходит для усиления сигналов в мобильных коммуникациях.
• Радиопередатчики: применяется в различных радиопередающих устройствах, включая телевещание и разнообразные беспроводные системы.

Рекомендации по применению

• Используйте соответствующие радиаторы и системы охлаждения для обеспечения стабильной работы на высокой мощности.
• Внимательно проектируйте печатные платы для минимизации паразитных индуктивностей и ёмкостей.
• Обеспечьте защиту от электростатических разрядов (ESD) при обращении с компонентом.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 1800 МГц - 2200 МГц
• Выходная мощность: до 80 Вт
• Коэффициент усиления: 17 дБ типичное значение
• Напряжение питания: 28 В
• Тип корпуса: SOT-1211-2
• Температурный диапазон работы: от -40°C до +150°C

Возможные аналоги

• BLF8G20-10: от того же производителя с аналогичными характеристиками, но меньшей выходной мощностью.
• MRFE6VP61K25H: от NXP Semiconductors, схожий по параметрам.

Этот компонент обеспечивает высокий уровень производительности и надежности, что делает его отличным выбором для усилительных приложений в области радио и беспроводной связи.