BLF989U

46 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF989U — Радиочастотный (RF) MOSFET от Ampleon

Общее описание

BLF989U — это высокоэффективный радиочастотный MOSFET-транзистор с технологией LDMOS, предназначенный для использования в различных высокочастотных приложениях. Этот компонент от компании Ampleon отличается работой в диапазоне частот от 400 МГц до 860 МГц, обладая внушительной выходной мощностью до 900 Вт. Он выпускается в корпусе SOT539A, что обеспечивает отличное охлаждение и простоту монтажа.

Преимущества

  • Высокая мощность: Выходная мощность до 900 Вт, что позволяет использовать его в мощных радиопередатчиках.
  • Широкий диапазон частот: Работает в диапазоне 400 МГц – 860 МГц, что делает его универсальным выбором для различных приложений.
  • Высокая надежность: Высокий показатель напряжения пробоя и качественный монтажный корпус обеспечивают долговечную работу.
  • Отличное усиление: Усиление до 20 дБ, что оптимально подходит для радиочастотных усилителей.

Недостатки

  • Высокая стоимость: По сравнению с другими MOSFET может иметь более высокую цену.
  • Требовательность к отведению тепла: Требует эффективного охлаждения из-за высоких мощностей.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности: Идеально подходит для радиочастотных передатчиков и базовых станций.
  • Военные и профессиональные радиочастотные системы: Используется в высоконадежных коммуникационных системах.
  • Транспондеры и ретрансляторы: Применяется в усилителях мощности для ретрансляции сигналов.

Рекомендации по применению

  • Термическое управление: Используйте эффективные радиаторы или системы жидкостного охлаждения для обеспечения адекватного теплоотвода.
  • Печатная плата: Рекомендуется применять платы с высоким качеством разводки для минимизации потерь на высоких частотах.
  • Фильтрация: Обеспечьте адекватную фильтрацию передатчиков для снижения электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной, общий исток
  • Частота: 400 МГц — 860 МГц
  • Усиление: 20 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Ток: 1.3 А
  • Выходная мощность: 900 Вт
  • Номинальное напряжение: 108 В
  • Ток утечки: 2,8 µA
  • Монтаж: Шасси-монтаж
  • Корпус: SOT539A
  • Температурный диапазон: -65°C...+225°C

Возможные аналоги

  • BLF184XR: Альтернатива для использования в других диапазонах частот.
  • MRF6VP5600H: Альтернативный транзистор для высокомощных радиочастотных систем.

Этот мощный и надежный RF MOSFET от Ampleon станет отличным выбором для ваших высокочастотных приложений, обеспечивая высокую производительность и долговечность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК