BLF8G27LS-100V,118

13 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF8G27LS-100V,118 от NXP

Общее описание

BLF8G27LS-100V,118 — это мощный полевой транзистор (LDMOS) от компании NXP, предназначенный для применения в радиочастотных (RF) усилителях. Компонент рассчитан на использование в диапазоне частот от 2.5 ГГц до 2.7 ГГц и способен обеспечивать выходную мощность до 100 Вт при напряжении в 28 В.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 100 Вт позволяет использовать транзистор в мощных RF усилителях.
  • Широкий диапазон частот: работа в диапазоне от 2.5 ГГц до 2.7 ГГц делает компонент идеальным для современного телекоммуникационного оборудования.
  • Высокий коэффициент усиления: около 17 дБ обеспечивает эффективное усиление сигнала.
  • Надежность и долговечность: благодаря использованию LDMOS технологии, транзистор обладает высокой надежностью и долгим временем службы.

Недостатки

  • Тепловыделение: при работе с высокой мощностью необходимо учитывать тепловыделение и предусматривать эффективное охлаждение.
  • Требует осторожного монтажа: неосторожный монтаж может повредить компонент из-за высокого тока и напряжения.

Типовое использование

  • Базовые станции сотовой связи.
  • Усилители мощности для радиопередатчиков.
  • Усилители в системах микроволнового радиовещания.
  • Усилители мощности в радиолокационных системах.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: для правильного функционирования и продления срока службы компонента крайне важно обеспечить эффективное охлаждение.
  • Механическая защита: убедитесь в надежной механической фиксации для предотвращения повреждений.
  • Стабильное питание: использование стабилизированных источников питания для предотвращения перегрузок и перенапряжений.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 2.5 ГГц - 2.7 ГГц
  • Выходная мощность: до 100 Вт
  • Коэффициент усиления: примерно 17 дБ
  • Тестовое напряжение: 28 В
  • Тестовый ток: 900 мА
  • Максимальное напряжение: 65 В
  • Корпус: SOT502A-2

Возможные аналоги

  • BLF8G27L-75: также мощный LDMOS транзистор от NXP с немного меньшей выходной мощностью.
  • MRFE6VP5600HR3: аналогичный мощный RF транзистор от Freescale, подходящий для тех же применений.

Заключение

BLF8G27LS-100V,118 от NXP — это высокопроизводительный транзистор, идеально подходящий для широкого спектра телекоммуникационных и радиочастотных приложений. При правильном применении и соблюдении рекомендаций по охлаждению и монтажу, этот компонент обеспечит надежную и долговечную работу ваших устройств.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК