BLF8G27LS-100V,118
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLF8G27LS-100V,118 от NXP
Общее описание
BLF8G27LS-100V,118 — это мощный полевой транзистор (LDMOS) от компании NXP, предназначенный для применения в радиочастотных (RF) усилителях. Компонент рассчитан на использование в диапазоне частот от 2.5 ГГц до 2.7 ГГц и способен обеспечивать выходную мощность до 100 Вт при напряжении в 28 В.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 100 Вт позволяет использовать транзистор в мощных RF усилителях.
- Широкий диапазон частот: работа в диапазоне от 2.5 ГГц до 2.7 ГГц делает компонент идеальным для современного телекоммуникационного оборудования.
- Высокий коэффициент усиления: около 17 дБ обеспечивает эффективное усиление сигнала.
- Надежность и долговечность: благодаря использованию LDMOS технологии, транзистор обладает высокой надежностью и долгим временем службы.
Недостатки
- Тепловыделение: при работе с высокой мощностью необходимо учитывать тепловыделение и предусматривать эффективное охлаждение.
- Требует осторожного монтажа: неосторожный монтаж может повредить компонент из-за высокого тока и напряжения.
Типовое использование
- Базовые станции сотовой связи.
- Усилители мощности для радиопередатчиков.
- Усилители в системах микроволнового радиовещания.
- Усилители мощности в радиолокационных системах.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: для правильного функционирования и продления срока службы компонента крайне важно обеспечить эффективное охлаждение.
- Механическая защита: убедитесь в надежной механической фиксации для предотвращения повреждений.
- Стабильное питание: использование стабилизированных источников питания для предотвращения перегрузок и перенапряжений.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: 2.5 ГГц - 2.7 ГГц
- Выходная мощность: до 100 Вт
- Коэффициент усиления: примерно 17 дБ
- Тестовое напряжение: 28 В
- Тестовый ток: 900 мА
- Максимальное напряжение: 65 В
- Корпус: SOT502A-2
Возможные аналоги
- BLF8G27L-75: также мощный LDMOS транзистор от NXP с немного меньшей выходной мощностью.
- MRFE6VP5600HR3: аналогичный мощный RF транзистор от Freescale, подходящий для тех же применений.
Заключение
BLF8G27LS-100V,118 от NXP — это высокопроизводительный транзистор, идеально подходящий для широкого спектра телекоммуникационных и радиочастотных приложений. При правильном применении и соблюдении рекомендаций по охлаждению и монтажу, этот компонент обеспечит надежную и долговечную работу ваших устройств.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.