BLF8G27LS-100V,112

12 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLF8G27LS-100V,112 от NXP

Общее описание

BLF8G27LS-100V,112 — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, разработанный компанией NXP. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 2.5 до 2.7 ГГц, обеспечивая выходную мощность до 100 Вт. Устройство поставляется в корпусе SOT502A-2 и предназначено для монтажа на шасси.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Устройство способно обеспечивать мощность до 100 Вт, что идеально подходит для применения в высокомощных RF приложениях.
  • Широкий диапазон частот: Рабочий диапазон 2.5 - 2.7 ГГц охватывает многие популярные RF приложения.
  • Высокая линейность и эффективность: Транзистор демонстрирует высокую линейность и КПД.
  • Компактный корпус: Корпус SOT502A-2 обеспечивает удобность монтажа и хорошую терморегуляцию.

Недостатки

  • Потребность в эффективном охлаждении: Высокая выходная мощность требует качественного решения для отвода тепла.
  • Требовательность к условиям работы: Для обеспечения надежной работы необходимо поддерживать стабильные параметры напряжения и тока.

Типовое использование

  • Базовые станции для беспроводной связи
  • Усилители мощности для радиосвязи
  • Трансиверы и ретрансляторы в диапазоне 2.5 - 2.7 ГГц

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте хороший теплоотвод для поддержания температурного режима в пределах допустимых значений.
  • Используйте соответствующие схемы управления и защиты для предотвращения перегрузок и поломок компонента.
  • Следите за правильной настройкой напряжения питания и токов для максимальной производительности и долговечности.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частотный диапазон: 2.5 - 2.7 ГГц
  • Выходная мощность: до 100 Вт
  • Напряжение питания: 28 В
  • Тестовый ток: 900 мА
  • Коэффициент усиления: 17 дБ
  • Корпус: SOT502A-2
  • Назначение: Чип монтаж

Возможные аналоги

  • MRFE6VP61K25N от NXP
  • MRF8VP13350NR3 от NXP

Используя BLF8G27LS-100V,112, вы получаете надежное и высокопроизводительное решение для своих RF приложений в диапазоне 2.5 - 2.7 ГГц.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК