BLF8G27LS-100GVQ

13 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLF8G27LS-100GVQ от Ampleon

Общее описание

BLF8G27LS-100GVQ — это мощный LDMOS транзистор производства компании Ampleon, предназначенный для работы в диапазоне частот от 2,5 до 2,7 ГГц. Этот высокоэффективный компонент обеспечивает выходную мощность до 100 Вт при напряжении питания 28 В. Он часто применяется в высокочастотных системах связи и базовых станциях.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 100 Вт, что делает его подходящим для мощных передатчиков.
  • Широкий частотный диапазон: От 2,5 до 2,7 ГГц, что подходит для многих телекоммуникационных приложений.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает эффективное усиление сигнала.
  • Надежность и долговечность: Разработан для больших рабочих циклов и устойчив к перегреву.

Недостатки

  • Специфичный диапазон частот: Подходит не для всех применений, ограничен частотным диапазоном.
  • Требуется эффективное охлаждение: Для работы при максимальной мощности необходимо хорошее рассеивание тепла.

Типовое использование

  • Базовые станции связи: В передающих системах для мобильных сетей и беспроводных коммуникаций.
  • Радиочастотные усилители мощности: Как в гражданских, так и в военных применениях.
  • Системы спутниковой связи: Для усиления сигнала и обеспечения высокой надежности связи.

Рекомендации по применению

  1. Эффективное охлаждение: Для обеспечения стабильной работы в условиях высокой мощности рекомендуется использовать радиаторы или другие методы охлаждения.
  2. Использование качественных компонентов: Для достижения оптимальной производительности следует использовать высококачественные пассивные и активные компоненты в схеме.
  3. Соответствие рабочему напряжению: Обеспечьте стабильное напряжение питания 28 В для поддержания характеристик транзистора.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: LDMOS
  • Частотный диапазон: 2,5 ГГц – 2,7 ГГц
  • Выходная мощность: До 100 Вт
  • Коэффициент усиления: 16.5 дБ (типичное значение)
  • Напряжение питания: 28 В
  • Корпус: NI-780S-4 (SOT-467C)

Возможные аналоги

  • MRF6VP3450N от NXP Semiconductors — MOSFET транзистор с аналогичными характеристиками для высокочастотных применений.
  • PD85035S-E от STMicroelectronics — MOSFET транзистор для работы в диапазоне до 3.5 ГГц и выходной мощностью до 35 Вт.

Используйте BLF8G27LS-100GVQ в своих проектах для обеспечения надежного усиления сигнала в радиочастотных системах связи.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК