BLF8G24LS-200P,112

BLF8G24LS-200P,112 от Ampleon

Общее описание: RF MOSFET BLF8G24LS-200P,112 - это высокочастотный транзистор, созданный на основе технологии LDMOS. Этот мощный MOSFET предназначен для использования в радиочастотной аппаратуре, в частности, в усилителях мощности. Он обеспечивает стабильную работу на частотах от 2300 до 2400 МГц, с выходной мощностью до 200 Вт.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность: до 200 Вт
• Широкий частотный диапазон: 2300 - 2400 МГц
• Отличное усиление: 17.5 дБ
• Улучшенная надежность и долговечность благодаря LDMOS технологии
• Эффективное охлаждение благодаря низкому сопротивлению тепловому переходу

Недостатки:

• Требуется сложное управление тепловыми режимами для предотвращения перегрева
• Ограниченная доступность вследствие узкой специализации

Типовое использование:

• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи
• Радиооборудование для широкополосной передачи данных
• Военные приложения, требующие высокочастотных усилителей

Рекомендации по применению:

• Наличие эффективной системы охлаждения обязательно.
• Использование соответствующих источников питания для поддержания стабильного напряжения.
• Доработка схемы для обеспечения необходимой тепловой и электромагнитной изоляции.

Основные технические характеристики:

• Максимальная выходная мощность: 200 Вт
• Напряжение питания: 28 В
• Диапазон частот: 2300 - 2400 МГц
• Усиление: 17.5 дБ
• Эффективность (PAE): 63%
• Корпус: SOT502A-1
• Монтаж: поверхностный (SMD)

Возможные аналоги:

• BLF8G22LS-160,112 от Ampleon
• MRF8P23060HSR3 от NXP Semiconductors

Этот мощный и надежный компонент идеально подходит для использования в современном высокочастотном радиооборудовании, обеспечивая стабильное и мощное усиление сигнала в нужном диапазоне частот.