BLF8G20LS-200V,112

BLF8G20LS-200V,112 от Ampleon

Общее описание

BLF8G20LS-200V,112 - это мощный широкополосный транзистор LDMOS, разработанный для приложений радиочастотной (RF) мощности. Этот транзистор предназначен для использования в диапазоне частот от 1805 до 1990 МГц и обеспечивает высокий коэффициент усиления и линейность, что делает его идеальным для усилителей мощности в базовых станциях и других телекоммуникационных устройствах.

Преимущества

• Высокая мощность: Максимальная выходная мощность до 200 Вт, что позволяет использовать транзистор в высокомощных приложениях.
• Широкий частотный диапазон: Подходит для работы в диапазоне 1805-1990 МГц, что охватывает многие стандартные диапазоны сотовой связи.
• Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления 18 дБ обеспечивает эффективное усиление сигнала.
• Низкие искажения: Высококачественное звучание и минимальное влияние на сигнал благодаря низкому уровню гармонических искажений.

Недостатки

• Требования к охлаждению: Высокая мощность выделяет значительное количество тепла, что требует эффективного теплоотвода и хорошей системы охлаждения.
• Размер и монтаж: Большой корпус и требования к монтажу могут ограничить его использование в компактных устройствах.

Типовое использование

• Услители мощности в базовых станциях сотовой связи.
• Беспроводные коммуникационные системы.
• Усилители мощности для передачи и ретрансляции радиосигналов.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Используйте эффективные радиаторы и системы охлаждения, чтобы избежать перегрева и продлить срок службы транзистора.
• Защита: Включите защитные схемы от перегрузки по току и напряжению для предотвращения повреждений в случае переходных процессов.
• Монтаж: Предпочитайте крепление на шасси для эффективного теплоотвода и надежного механического контакта.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Рабочий диапазон частот: 1805-1990 МГц
• Максимальная выходная мощность: 200 Вт
• Коэффициент усиления: 18 дБ
• Рабочее напряжение: 28 В
• Корпус: SOT-502A-2 (NI-780), поверхностный монтаж

Возможные аналоги

• MRF8P20100HSR3 от NXP Semiconductors - мощный транзистор LDMOS для работы в диапазоне 1805-2000 МГц.
• BLF8G22LS-50P,112 от Ampleon - аналогичный транзистор для операций в диапазоне 2110-2170 МГц с мощностью 50 Вт.

Заключение

BLF8G20LS-200V,112 от Ampleon - это высокопроизводительный транзистор для усилителей мощности в телекоммуникационных приложениях, обеспечивающий высокую мощность и эффективное усиление сигнала.