BLF8G10LS-270,112

BLF8G10LS-270,112 (NXP)

Общее Описание

BLF8G10LS-270,112 – это высокоэффективный LDMOS-RF MOSFET транзистор производства NXP, предназначенный для применения в диапазоне частот от 820 МГц до 960 МГц. Устройство способно работать при напряжении до 28 В и обладает выходной мощностью до 270 Вт, что делает его идеальным выбором для усилителей мощности в беспроводных системах связи и радиопередатчиках.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 270 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных усилительных системах.
• Отличное усиление: 18.5 дБ, что обеспечивает хорошую производительность в радиосистемах.
• Надежность: Высокая стабильность параметров благодаря технологии LDMOS.
• Компактный корпус: Форм-фактор SOT502B обеспечивает удобство монтажа и высокую плотность компоновки.

Недостатки

• Требует эффективного охлаждения: При высокой мощности и напряжении устройство может выделять значительное количество тепла.
• Высокая стоимость: Стоимость компонента может быть выше по сравнению с аналогичными MOSFET на основе других технологий.

Типовое Использование

• Усилительные каскады в радиопередатчиках.
• Беспроводные системы связи.
• Медицинское оборудование для ВЧ-диапазона.
• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи.

Рекомендации по Применению

• Охлаждение: Убедитесь в наличии эффективной системы охлаждения для поддержания оптимальной температуры работы.
• Стабильное питание: Используйте стабилизированные источники питания для обеспечения стабильной работы транзистора.
• Монтаж: При монтаже компонента соблюдайте правила пайки для предотвращения термических повреждений и обеспечения надёжного контакта.

Основные Технические Характеристики

• Тип транзистора: LDMOS-RF MOSFET
• Рабочий диапазон частот: 820 МГц до 960 МГц
• Выходная мощность: До 270 Вт
• Коэффициент усиления: 18.5 дБ
• Рабочее напряжение: 28 В
• Ном. ток теста: 2 А
• Корпус: SOT502B
• Макс. напряжение: 65 В

Возможные Аналоги

• MRF9060LR3 от Freescale Semiconductor
• BLF578 от Ampleon
• MRFE6VP61K25H от NXP

Выводы

BLF8G10LS-270,112 от NXP – это мощный и надёжный RF MOSFET транзистор, предназначенный для применения в широком диапазоне высокочастотных устройств. Благодаря отличным характеристикам и высокой выходной мощности, этот компонент является отличным выбором для усилительных систем, требующих высокой производительности и надёжности.