BLF8G10LS-160V,112

BLF8G10LS-160V,112 от NXP

Общее описание: BLF8G10LS-160V,112 – это ВЧ транзистор с низкой рассеиваемой мощностью и высокой выходной мощностью, предназначенный для работы в частотном диапазоне 960 МГц - 1400 МГц. Он выполнен по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor), что обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощностных радиочастотных приложениях.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность: до 160 Вт
• Низкие потери: повышенная эффективность преобразования энергии
• Широкий рабочий диапазон частот: 960 МГц - 1400 МГц
• Устойчивость и надежность: благодаря технологии LDMOS транзистор отличается высокой устойчивостью к экстремальным условиям эксплуатации и долговечностью

Недостатки:

• Требует надлежащего охлаждения: мощные транзисторы такого типа требуют хорошей системы охлаждения для предотвращения перегрева
• Высокая стоимость: по сравнению с менее мощными аналогами

Типовое использование:

• Устройства усиления мощности для базовых станций мобильной связи
• Усилители для радиочастотных передатчиков и систем связи
• Высокочастотные модуляторы

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте надлежащее охлаждение устройства с использованием радиаторов или других охлаждающих систем
• Внимательно следуйте рекомендациям по напряжению и току, чтобы избежать повреждения компонентов
• Используйте соответствующее монтажное оборудование для обеспечения стабильности и надежности схемы

Основные технические характеристики:

• Частотный диапазон: 960 МГц - 1400 МГц
• Максимальная выходная мощность: 160 Вт
• Коэффициент усиления: 17.5 - 19.5 дБ
• Напряжение питания: 50 В
• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Корпус: SOT539A

Возможные аналоги:

• BLF8G10LS-90 от NXP
• MRFE6VP61K25H от NXP
• PTFA092501E от Infineon

Использование BLF8G10LS-160V,112 в проекте позволит достичь высокой производительности и надежности в мощных радиочастотных применениях, обеспечив стабильную и эффективную работу устройства.