BLF888BS,112

BLF888BS,112 от NXP

Общее описание: BLF888BS,112 - это мощный RF MOSFET транзистор от компании NXP, разработанный для работы в диапазоне частот от 470 МГц до 860 МГц. Этот компонент обладает низким уровнем импеданса и высокой линейностью, что делает его идеальным для применения в системах передачи данных и телекоммуникации. Транзистор выполнен в корпусе SOT539B.

Преимущества:

• Высокий коэффициент усиления мощностью (21 дБ при 50 В)
• Высокая выходная мощность (до 650 Вт)
• Низкий уровень искажений и шума, что обеспечивает чистый сигнал
• Устойчивость к перегрузкам и отличное тепловое управление
• Надежное шасси для крепления, обеспечивающее лучшую тепловую характеристику

Недостатки:

• Требует адекватного охлаждения для эффективной работы при максимальной мощности
• Занимает достаточное пространство на плате из-за своего размера

Типовое использование:

• Системы цифрового и аналогового телевещания
• Мобильные и стационарные коммуникационные системы
• Базовые станции ретрансляторов
• Любые высокочастотные передающие устройства

Рекомендации по применению:

• Тщательно проверять термальные условия работы и обеспечивать адекватное охлаждение
• Использовать соответсвующие схемы импеданса для максимальной эффективности
• Применять в тех областях, где требуется высокая стабильность и линейность сигнала

Основные технические характеристики:

• Технология: LDMOS (Dual), Common Source
• Конфигурация: 2 N-Channel
• Частотный диапазон: 470 МГц ~ 860 МГц
• Коэффициент усиления: 21 дБ
• Напряжение тестирования: 50 В
• Ток: 1.3 А
• Выходная мощность: 650 Вт
• Максимальное напряжение: 104 В
• Корпус / Тип монтажа: SOT539B

Возможные аналоги:

• BLF888A от Ampleon
• BLF184XR от Ampleon
• MRFE6VP61K25 от NXP
• PTMA210152M от Infineon Technologies

Используйте BLF888BS,112 для надежных и высокоэффективных решений в вашей системе передачи данных!