BLF881S,112

36 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF881S,112 от Ampleon

Общее описание

BLF881S,112 — это высокоэффективный RF LDMOS транзистор, разработанный для применения на высокой частоте. Этот компонент обеспечивает отличные рабочие характеристики в условиях высоких нагрузок, что делает его идеальным выбором для использования в радиочастотных усилителях мощности и других высокочастотных приложениях.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 140 Вт.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает усиление до 21 дБ.
  • Широкий диапазон рабочих напряжений: Максимальное напряжение до 50 В позволяет использовать компонент в различных режимах.
  • Низкие потери мощности: Высокая эффективность компонента снижает тепловые потери и увеличивает надёжность работы.

Недостатки

  • Сложность монтажа: Требуется соответствующее оборудование для поверхностного монтажа.
  • Необходимость охлаждения: Высокая выходная мощность требует эффективного охлаждения для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности: Идеально подходит для использования в передатчиках и ретрансляторах.
  • Базовые станции для мобильной связи: Может использоваться в составе передатчиков базовых станций для обеспечения высококачественной связи.
  • Военные и промышленные приложения: Применим в системах связи или радиолокации.

Рекомендации по применению

  • Качественное охлаждение: Обеспечьте надёжную систему охлаждения для компонента во избежание перегрева.
  • Соответствующий монтаж: Используйте специализированное оборудование для SMD монтажа, чтобы обеспечить надёжное соединение.
  • Тщательный анализ схемы: Проведите симуляцию и анализ схемы для оптимизации работы компонента в вашей схеме.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: LDMOS
  • Частота: до 860 МГц
  • Коэффициент усиления: 21 дБ
  • Рабочее напряжение: до 50 В
  • Ток тестирования: 500 мА
  • Выходная мощность: до 140 Вт
  • Корпус: SOT467B
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)

Возможные аналоги

  • MRF151G от NXP Semiconductors: Также является LDMOS транзистором с высокими параметрами усиления и мощности.
  • BLF888 от Ampleon: Сходные характеристики мощности и частоты, но с улучшенными параметрами усиления.
  • MRF1K50H от NXP Semiconductors: Идеален для приложений, требующих очень высокой мощности, с выходной мощностью до 1500 Вт.

Заключение

BLF881S,112 от Ampleon является надёжным и высокоэффективным решением для различных радиочастотных приложений, требующих высоких параметров мощности и усиления. При правильном использовании, этот компонент обеспечит длительный срок службы и высокую надёжность работы.


Таким образом, BLF881S,112 от Ampleon — отличный выбор для ваших высокочастотных схем!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК