BLF7G27LS-90P,112

BLF7G27LS-90P,112 от NXP

Общее описание:

BLF7G27LS-90P,112 – это высокоэффективный RF MOSFET транзистор на основе LDMOS технологии, предназначенный для работы в частотном диапазоне 2.5 ГГц ~ 2.7 ГГц. Этот транзистор характеризуется высокой линейностью и мощностью, что делает его идеальным для использования в приложениях связи, включая базовые станции и ретрансляторы.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность: 90W при частоте до 2.7 ГГц.
• Высокая линейность: обеспечивает качественную передачу сигналов без значительных искажений.
• Низкое тепловыделение: высокий КПД работы позволяет минимизировать нагрев компонента.
• Высокая надёжность: рассчитан на работу при напряжении до 65V.

Недостатки:

• Требует эффективного охлаждения для оптимальной работы.
• Может потребовать дополнительных затрат на надлежащее управление тепловыми режимами.

Типовое использование:

• Базовые станции и ретрансляторы.
• Усилители мощности в системах мобильной связи.
• Другие высокочастотные передатчики и ретрансляторы.

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте достаточную теплопередачу для предотвращения перегрева транзистора.
• Используйте подходящие схемы защиты от электростатических разрядов (ESD) и перенапряжений.
• Внимательно соблюдайте рекомендованные параметры при проектировании схем для предотвращения повреждений и деградации характеристик.

Основные технические характеристики:

• Технология: LDMOS
• Конфигурация: Двухканальный, общий источник (Dual, Common Source)
• Частотный диапазон: 2.5 ГГц ~ 2.7 ГГц
• Коэффициент усиления: 18.5 дБ
• Тестовое напряжение: 28 В
• Ток теста: 720 мА
• Выходная мощность: 90 Вт
• Максимальное напряжение: 65 В
• Корпус/пакет: SOT-1121B

Возможные аналоги:

• BLF7G27L-50P: аналог с меньшей выходной мощностью (50 Вт).
• MRF7S27085HSR3: аналог от другого производителя с сопоставимыми характеристиками.

Этот RF MOSFET транзистор представляет собой отличное решение для высокочастотных усилителей, где важна высокая мощность и линейность.