BLF7G27L-150P,112

28 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF7G27L-150P,112 от NXP

Общее описание

BLF7G27L-150P,112 - это мощный транзистор LDMOS (латеральный MOSFET), разработанный компанией NXP для применения в радиочастотных (RF) приложениях. Он предназначен для работы в диапазоне частот от 2,5 ГГц до 2,7 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 150 Вт, что делает его идеальным для использования в средствах радиосвязи, базовых станциях и усилителях мощности.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 150 Вт, что позволяет использовать транзистор в мощных передающих устройствах.
  • Широкий частотный диапазон: От 2,5 ГГц до 2,7 ГГц, идеально подходит для различных радиочастотных применений.
  • Высокая надежность: Использование технологий LDMOS обеспечивает долгий срок службы и устойчивость к напряжениям.
  • Простота монтажа: Выпускается в корпусе SOT539A, что упрощает установку и интеграцию в проекты.

Недостатки

  • Теплоотвод: Требует эффективного охлаждения для поддержания оптимальной рабочей температуры.
  • Чувствительность к электростатическим разрядам (ESD): Необходима защита от ESD при монтаже и эксплуатации.

Типовое использование

  • Усилители мощности для базовых станций мобильной связи.
  • Передатчики для радиосвязи.
  • Радиолокационные системы.
  • Широкополосные и узкополосные усилители мощности.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обязательно использовать радиаторы или системы активного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Защита от ESD: При монтаже и эксплуатации следует использовать антистатические средства.
  • Правильное питание: Рекомендуется использовать стабилизированные источники питания для предотвращения перегрузок и пульсаций напряжения.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 2.5 ГГц ~ 2.7 ГГц
  • Выходная мощность: 150 Вт
  • Напряжение питания: 28 В
  • Коэффициент усиления: 16.5 дБ
  • Ток потребления: До 1.2 А
  • Корпус: SOT539A
  • Рабочая температура: От -40°C до 150°C

Возможные аналоги

  • BLF7G27-150L: Схожий по параметрам LDMOS транзистор от NXP.
  • MRF6VP2600H: Мощный RF транзистор от Freescale.

Подходит для различных критически важных радиочастотных приложений, обеспечивая высокую мощность и надежность работы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК