BLF7G24LS-160P,112

MOSFET транзистор BLF7G24LS-160P,112 от NXP

Общее описание

BLF7G24LS-160P,112 - это мощный RF MOSFET транзистор на основе LDMOS технологии, предназначенный для работы на частотах от 2.3 ГГц до 2.4 ГГц. Этот транзистор обеспечивает высокую линейность и выходную мощность до 160 Вт при напряжении питания 28 В.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 160 Ватт, что делает его идеальным для мощных передатчиков.
• Высокая линейность: Обеспечивает отличное качество сигнала.
• Надежность и долговечность: Долговременная стабильность параметров для продолжительных применений.
• Широкий диапазон температур: Устойчив к изменениям в окружающей температуре.

Недостатки

• Сложность в управлении тепловым режимом: Требует эффективных систем охлаждения.
• Высокая стоимость: Приобретение и эксплуатация могут быть дорогостоящими.

Типовое использование

• Базовые станции мобильной связи
• Системы беспроводной связи
• Мощные передатчики радиосигналов
• Радиолокационные системы

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечить хорошее термическое управление для поддержания работы устройства в пределах заданных температурных характеристик.
• Импедансное согласование: Оптимизировать согласование импеданса на входе и выходе для достижения максимальной эффективности передачи сигнала.
• Экранирование: Использовать экранирование для минимизации влияния внешних электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 2.3 ГГц - 2.4 ГГц
• Выходная мощность: 160 Вт
• Напряжение питания (Vds): 28 В
• Ток покоя (Idq): 1.2 А
• Усиление (Gain): 18.5 дБ
• Корпус: SOT539B
• Максимальное напряжение (Vds max): 65 В

Возможные аналоги

• BLF8G24LS-150RN,112 - Мощный RF MOSFET транзистор с аналогичными характеристиками.
• MRFE6VP61K25H - Высокочастотный MOSFET транзистор от Freescale.
• PTFA260251E - RF транзистор от Infineon с похожими параметрами для базовых станций.