BLF7G24LS-100,112

BLF7G24LS-100,112 от Ampleon

Общее описание

BLF7G24LS-100,112 — это мощный RF MOSFET транзистор, разработанный компанией Ampleon, специально для применения в области связи и радиочастотных (RF) приложений. Он изготовлен с использованием передовой технологии LDMOS и предназначен для работы на частотах от 2,3 ГГц до 2,4 ГГц.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Данный транзистор имеет выходную мощность до 100 Вт, что делает его подходящим для мощных RF приложений.
• Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления составляет 18 дБ при 2,3 ГГц, обеспечивая значительное усиление сигнала.
• Низкое тепловыделение: Эффективная конструкция позволяет снизить тепловыделение, обеспечивая стабильную работу транзистора.
• Надежность и длительный срок службы: Высокое качество материалов и технологий производства гарантируют длительный срок службы и надежность в работе.

Недостатки

• Стоимость: Высокий уровень технологий и производительности отражается на стоимости компонента.
• Не подходит для низкочастотных применений: Устройство оптимизировано для частотного диапазона 2,3 ГГц - 2,4 ГГц и может быть неэффективным на более низких частотах.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Радиочастотные усилители высокой мощности
• Цифровые радиосистемы
• Военные и космические приложения, требующие высокой мощности и надежности

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Обязательно использовать эффективные системы теплоотвода для предотвращения перегрева.
• Рабочее напряжение: Убедитесь, что рабочее напряжение и ток соответствуют характеристикам устройства для стабильной и безопасной работы.
• Подходящие частоты: Данный транзистор оптимизирован для работы в диапазоне 2,3 ГГц - 2,4 ГГц, поэтому необходимо учитывать это при разработке схемы.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 2,3 ГГц – 2,4 ГГц
• Коэффициент усиления: 18 дБ
• Выходная мощность: до 100 Вт
• Рабочее напряжение: 28 В
• Ток покоя: 900 мА
• Монтаж: для монтажа на шасси
• Корпус: SOT502B

Возможные аналоги

• MRF6VP3450NR1 от NXP Semiconductors: Аналогичный RF MOSFET с высоким коэффициентом усиления и выходной мощностью.
• BLF6G20LS-140 от Ampleon: Другой продукт той же компании с высоким качеством и схожими характеристиками.
• MRF8P20180WHSR3 от Freescale Semiconductor: RF LDMOS транзистор для высокочастотных приложений с аналогичными характеристиками.

Для получения более подробной информации и уточнений по техническим характеристикам, рекомендуется обратиться к документации от производителя.