BLF7G20LS-90P,112

BLF7G20LS-90P,112 от NXP

Общее описание

BLF7G20LS-90P,112 — высокоэффективный RF MOSFET транзистор от NXP, созданный на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 2.11 до 2.17 ГГц, предлагая высокую линейность и выходную мощность до 90 Вт, что делает его идеальным для использования в базовых станциях систем беспроводной связи.

Преимущества

• Высокая выходная мощность до 90 Вт.
• Широкий диапазон частот (2.11–2.17 ГГц), подходящий для различных применений.
• Высокая линейность, обеспечивающая надежную передачу сигнала.
• Низкая паразитная емкость, что уменьшает потери и увеличивает эффективность схемы.
• Надежность и долговечность благодаря технологии LDMOS.

Недостатки

• Необходимость отвода тепла: Высокие выходные мощности требуют эффективного охлаждения компонента.
• Высокая стоимость: Качество и эффективность LDMOS-технологии отражаются в стоимости компонента.

Типовое использование

• Базовые станции систем мобильной связи.
• Усилители мощности для беспроводных сетей.
• Транкинговые системы связи и другие средства связи.

Рекомендации по применению

• Эффективное охлаждение: Убедитесь в наличии адекватной системы охлаждения для отвода тепла, так как работа на высоких мощностях приводит к значительному тепловыделению.
• Защита от перегрузок и перенапряжений: Используйте схемы защиты для предотвращения повреждений из-за возможных перенапряжений и перегрузок.
• Правильная конфигурация монтажа: Следуйте рекомендациям производителя при пайке и монтаже компонента на печатную плату для обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS.
• Конфигурация: Двойная, с общим истоком.
• Частотный диапазон: 2.11–2.17 ГГц.
• Коэффициент усиления: 19.5 дБ.
• Тестовое напряжение: 28 В.
• Ток утечки: 2 µA.
• Тестовый ток: 550 мА.
• Выходная мощность: 90 Вт.
• Максимальное напряжение: 65 В.
• Монтаж: Поверхностный монтаж.
• Корпус: SOT-1121B.

Возможные аналоги

• BLF7G20LS-130P,112: Повышенная мощность, аналог от того же производителя.
• MRFE6S21100HR3 от NXP: Подобные характеристики в том же частотном диапазоне.

Используйте этот компонент для создания высокоэффективных передатчиков и усилителей, обеспечивающих стабильную и надежную работу в телекоммуникационных приложениях.