BLF7G20LS-200,118

BLF7G20LS-200,118 от Ampleon

Общее описание

BLF7G20LS-200,118 — это мощный RF MOSFET транзистор на базе LDMOS технологии, предназначенный для работы в диапазоне частот от 1805 до 1880 МГц. Он обеспечивает выходную мощность до 200 Вт при напряжении питания 28 В, что делает его отличным выбором для базовых станций мобильной связи и других приложений, требующих высокой мощности RF.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 200 Вт в диапазоне частот от 1805 до 1880 МГц.
• Высокая эффективность: Высокий коэффициент усиления позволяет улучшить общую производительность системы.
• Надежность: Использование LDMOS технологии обеспечивает долговечность и устойчивость к различным нагрузкам.
• Компактность: Поставляется в корпусе SOT502A, что облегчает его интеграцию в различные устройства.

Недостатки

• Высокая стоимость: В связи с высокой выходной мощностью и производительностью, цена может быть выше по сравнению с другими MOSFET транзисторами.
• Ограниченный температурный диапазон: Требует эффективного охлаждения для обеспечения стабильной работы.

Типовое использование

• Базовые станции мобильной связи
• Передатчики и усилители мощности в диапазоне частот 1805-1880 МГц
• Радиолокационные системы
• Усилители мощности в телевизионных передатчиках

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
• Защита от перенапряжения: Используйте соответствующие защитные схемы для предотвращения повреждений из-за перенапряжения.
• Импедансные согласования: Внимательно настройте импедансные согласования для максимизации мощности и эффективности.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 1805 - 1880 МГц
• Выходная мощность: 200 Вт
• Коэффициент усиления: 18 дБ при 28 В и 1785 МГц
• Рабочее напряжение: 28 В
• Корпус: SOT502A
• Коэффициент усиления: 18 дБ
• Эффективность (PAE): 52%

Возможные аналоги

• BLF7G20LS-250,118 от того же производителя — более мощная версия с аналогичными характеристиками для тех же применений.
• MRF8P20160HSR3 от NXP Semiconductors — аналог с немного другими характеристиками, подходящий для применения в базовых станциях.

Заключение

BLF7G20LS-200,118 от Ampleon представляет собой мощный и надежный RF MOSFET транзистор, идеально подходящий для высокомощных приложений в диапазоне частот от 1805 до 1880 МГц. Обеспечивая выходную мощность до 200 Вт, он сочетает в себе эффективность и долговечность, что делает его отличным выбором для базовых станций и радиолокационных систем.