BLF7G10LS-250,112

23 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF7G10LS-250,112 от NXP

Общее описание

Транзистор BLF7G10LS-250,112 представляет собой высокочастотный LDMOS транзистор (MOSFET), предназначенный для усиления мощности. Он поддерживает работу на частотах от 700 до 1000 МГц и обеспечивает выходную мощность до 250 Вт. Этот транзистор рекомендуется для применения в мощных радиочастотных системах, таких как базовые станции сотовой связи.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 250 Вт на частотах 700-1000 МГц.
  • Высокая линейность: Отлично подходит для приложений, требующих низкого уровня интермодуляционных искажений.
  • Широкий частотный диапазон: Подходит для различных полос частот в диапазоне от 700 МГц до 1000 МГц.
  • Компактный корпус: SOT502B обеспечивает удобный монтаж на плате и эффективное тепловое управление.

Недостатки

  • Высокая потребляемая мощность: Требует надежного охлаждения и эффективного управления теплом.
  • Чувствительность к статическому электричеству: Необходимы особые меры предосторожности при монтаже и работе.

Типовое использование

  • Усилители мощности для базовых станций сотовых сетей.
  • Радиочастотные усилители для беспроводных систем передачи.
  • Приложения, требующие высокой выходной мощности и линейности в диапазоне 700-1000 МГц.

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: Обеспечьте надежное охлаждение и используйте подходящий радиатор или теплоотвод.
  • Защита от статического электричества: При установке и работе с элементом используйте антистатические меры.
  • Точность монтажа: Убедитесь в корректной пацзке и пайке компонента на плату для предотвращения механических повреждений.

Основные технические характеристики

  • Выходная мощность: До 250 Вт
  • Частотный диапазон: 700 - 1000 МГц
  • Коэффициент усиления: 19.5 дБ
  • Тестовое напряжение: 30 В
  • Тестовый ток: 1.8 А
  • Ток утечки: 5 µА
  • Корпус: SOT502B
  • Номинальное напряжение: 65 В

Возможные аналоги

  • BLF7G10LS-160,112: Подобный транзистор с меньшей выходной мощностью (до 160 Вт).
  • BLF6G20LS-140,112: Подобная модель для диапазона 1.8 - 2.2 ГГц с выходной мощностью до 140 Вт.

Транзистор BLF7G10LS-250,112 от NXP - отличный выбор для проектов, требующих высокую выходную мощность и хорошую линейность в диапазоне 700-1000 МГц. Он сочетает в себе надежность и эффективность, что делает его подходящим для применения в различных высокочастотных усилительных системах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК