BLF7G10L-250,112

26 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF7G10L-250,112 от NXP

Общее описание

BLF7G10L-250,112 — это высокочастотный полевой транзистор (LDMOSFET) от компании NXP, предназначенный для применения в широкополосных усилителях мощности. Этот компонент отличается высокими коэффициентами усиления и эффективности, что делает его идеальным решением для различных телекоммуникационных и промышленно-радиочастотных приложений.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Может генерировать выходную мощность до 250 Вт, что делает его пригодным для мощных усилителей.
  • Высокая эффективность: Высокий коэффициент эффективности, что позволяет снизить потери энергии и тепла.
  • Широкий диапазон рабочих частот: Поддерживает рабочие частоты от 100 МГц до 1000 МГц, что делает его универсальным для применения в различных частотных диапазонах.
  • Низкий уровень искажений: Высокое качество сигнала благодаря низкому уровню нелинейных искажений.

Недостатки

  • Стоимость: Более высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами.
  • Требования к охлаждению: Необходимость эффективного охлаждения из-за высокой плотности мощности.

Типовое использование

  • Мобильная связь: Усиление мощности в базовых станциях мобильной связи.
  • Радио и телевидение: Усилители вещания.
  • Радиолокационные системы: Усилители сигнала для радаров и других радиоэлектронных систем.

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: Убедитесь, что компонент оснащен соответствующей системой охлаждения, чтобы предотвратить перегрев.
  • Импедансное согласование: Используйте корректные импедансные согласования для оптимального рабочего режима.
  • Защита от перенапряжения: Внедрите схемы защиты для предотвращения повреждения от возможных перенапряжений.

Основные технические характеристики

  • Рабочее напряжение: до 50 В
  • Выходная мощность: до 250 Вт
  • Рабочие частоты: от 100 МГц до 1000 МГц
  • Усиление мощности: 23.5 дБ при 960 МГц
  • Тип корпуса: SOT-502A

Возможные аналоги

  • MRF6V2300N: Альтернативный высокочастотный транзистор от компании Freescale (NXP), обладающий схожими характеристиками.
  • PTF10143: Высокочастотный транзистор от компании Infineon с близкими параметрами.
  • HVMD8S250RPG: Транзистор от компания Qorvo, предназначенный для аналогичных мощных радиочастотных приложений.

Используя BLF7G10L-250,112, вы получаете мощный и надежный компонент для своих радиочастотных усилительных решений, обеспечивающий высокую производительность и низкие эксплуатационные затраты.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК