BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112 от Ampleon

Общее описание: BLF6G38LS-100,112 — это мощный полевой транзистор LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) от компании Ampleon, предназначенный для работы на частотах от 3.4 до 3.8 ГГц. Он обладает высокой выходной мощностью и предназначен для использования в периферийных станциях мобильной связи 4G LTE, TDSCDMA и WCDMA.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность (до 100 Вт).
• Отличный коэффициент насыщения (> 60%).
• Низкий уровень гармонических искажений.
• Высокая стабильность и длительный срок службы.
• Компактный корпус SOT502A, позволяющий интеграцию в компактные решения.

Недостатки:

• Требует тщательного отвода тепла из-за высокой мощности.
• Может потребовать сложного согласования импеданса в некоторых приложениях.

Типовое использование:

• Базовые станции мобильной связи 4G LTE.
• Усилители мощности в полосе частот 3.4 - 3.8 ГГц.
• Радиоусилители для систем связи.

Рекомендации по применению:

• При проектировании схемы необходимо обеспечить эффективное тепловое управление для предотвращения перегрева.
• Настройка импеданса необходима для оптимальной работы и минимальных потерь.
• Использование рекомендованных шунтирующих и блокировочных элементов для уменьшения уровней шума и повышения стабильности.

Основные технические характеристики:

• Технология: LDMOS
• Частотный диапазон: 3.4 ГГц - 3.8 ГГц
• Выходная мощность: до 100 Вт
• Коэффициент насыщения: > 60%
• Напряжение питания: 28 В
• Ток потребления: 1.05 А
• Корпус: SOT502A
• Коэффициент усиления (Gain): ~14 дБ

Возможные аналоги:

• BLF7G38LS-100 от NXP Semiconductors
• PTFC211406F от Wolfspeed, A Cree Company
• MRF7S38010HS от Freescale Semiconductor

При проектировании на основе BLF6G38LS-100,112 необходимо учитывать специфику высокочастотных схем и проводить тщательные тестирования, чтобы убедиться в стабильности и надежности устройства в реальных условиях эксплуатации.