BLF6G38-10G,118

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

RF MOSFET BLF6G38-10G,118 от Ampleon

Общее описание

BLF6G38-10G,118 от Ampleon представляет собой высокочастотный MOSFET с низким дрейфом и способный работать на частотах от 3.4 ГГц до 3.8 ГГц. Данный компонент специально разработан для использования в системах связи и базовых станциях. Сочетание высокой мощности, эффективности и надежности делает его идеальным выбором для применения в различных высокочастотных устройствах.

Преимущества

  • Высокая мощность: Может передавать мощность до 10 Вт.
  • Широкая полоса частот: Оптимизирован для работы в диапазоне 3.4 ГГц - 3.8 ГГц.
  • Высокая эффективность: Повышенная эффективность при низком уровне усиления, что уменьшает энергетические затраты.
  • Надежность: Хорошая термостойкость и устойчивость к перегрузкам.

Недостатки

  • Стоимость: Из-за высоких технических характеристик может иметь более высокую цену по сравнению с аналогичными компонентами.
  • Сложность применения: Требует точного соблюдения монтажных и эксплуатационных условий для достижения заявленных характеристик.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности.
  • Мобильные и базовые станции в сетях 4G и 5G.
  • Системы радиосвязи.

Рекомендации по применению

  • Во избежание перегрева компонента рекомендуется использование соответствующих радиаторов и может потребоваться активное охлаждение.
  • Обеспечьте точное соответствие входного и выходного импедансов для минимизации отражений и максимизации эффективности.
  • Рекомендуется использовать рекомендованные монтажные практики и процедуры пайки для достижения наилучшей производительности и долговечности.

Основные технические характеристики

  • Режим работы: LDMOS (Lateral Double-diffused MOS)
  • Частотный диапазон: 3.4 ГГц - 3.8 ГГц
  • Усиление: ~14 дБ
  • Рабочее напряжение: 28 В
  • Испытательное напряжение: 65 В
  • Ток: 130 мА (при испытании)
  • Максимальная мощность на выходе: 10 Вт
  • Тип корпуса: SOT-975C
  • Тип монтажа: Поверхностный (SMT)

Возможные аналоги

  • MRF6V2300NR1: MOSFET от NXP Semiconductors, работающий в схожем диапазоне частот.
  • BLF888A: Аналог от Ampleon с несколько расширенными характеристиками по мощности.
  • VMMK-1225: MOSFET от Broadcom с похожими параметрами и схемной совместимостью.

Этот RF MOSFET стоит рассматривать при проектировании и модернизации высокочастотных систем, где критичны высокая мощность и эффективность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК