BLF6G27LS-40P,112

18 000,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLF6G27LS-40P,112 от NXP

Общее описание

BLF6G27LS-40P,112 - это высокопроизводительный высокочастотный MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS, разработанный компанией NXP. Он специально оптимизирован для работы на частотах от 2.5 до 2.7 ГГц и предназначен для использования в усилителях мощности. Этот транзистор обладает высокой выходной мощностью (до 40 Вт) и высоким коэффициентом усиления.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 40 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных усилительных схемах.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает эффективность и стабильность работы.
  • Широкий частотный диапазон: От 2.5 до 2.7 ГГц, подходит для различных высокочастотных приложений.
  • Низкий уровень искажений: Что важно для качественной передачи сигнала.
  • Стабильная работа при высоких температурах: Благодаря продуманной конструкции и качественным материалам.

Недостатки

  • Требовательность к теплоотведению: Необходима хорошая система охлаждения для эффективной работы.
  • Относительно высокая стоимость: Повышенное качество и производительность отражаются на цене компонента.

Типовое использование

  • Базовые станции сотовой связи
  • Усилители мощности для радиопередатчиков
  • ВЧ усилители для беспроводных систем связи
  • Другие высокочастотные приложения

Рекомендации по применению

  • Используйте адекватные радиаторы или активные системы охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Обеспечьте правильное импедансное согласование для максимальной эффективности.
  • Рекомендуется использовать качественные компоненты в связке с MOSFET для достижения наилучших результатов.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Dual, Common Source
  • Частотный диапазон: 2.5 GHz ~ 2.7 GHz
  • Коэффициент усиления: 17.5 dB
  • Напряжение теста: 28 В
  • Ток теста: 450 мА
  • Выходная мощность: 40 Вт
  • Напряжение номинальное: 65 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
  • Корпус: SOT-1121B
  • Упаковка: LDMOST

Возможные аналоги

  • MRF6S27015N от Freescale Semiconductor
  • BLF6G27-10,112 от NXP
  • PTFB181206FH от Infineon Technologies

Этот транзистор является отличным выбором для высокочастотных приложений, требующих высокой выходной мощности и надежности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК