BLF6G27-75,112

22 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Транзистор BLF6G27-75,112 от NXP

Общее описание

BLF6G27-75,112 - это LDMOS RF транзистор от компании NXP, предназначенный для мощных усилителей в диапазонах частот 2.5 - 2.7 ГГц. Транзистор изготовлен с использованием технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor), которая обеспечивает отличные электрические характеристики и надежность. Этот компонент подходит для работы в мощных линейных и нелинейных усилителях, применяемых в телекоммуникационных системах, базовых станциях и радиопередающих устройствах.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 75 Вт при условии обеспечиваемой мощности (P1dB).
  • Широкий диапазон рабочих частот: 2.5 - 2.7 ГГц.
  • Высокая надежность: LDMOS технология обеспечивает длинный срок службы и надежную работу.
  • Простота в системной интеграции: компактная конструкция позволяет легкую установку в различные схемные решения.

Недостатки

  • Требуется адекватное охлаждение: высокий уровень мощности требует эффективного отвода тепла для предотвращения перегрева.
  • Чувствителен к электростатическим разрядам (ESD): требует защиты от статического электричества.

Типовое использование

  • Базовые станции сотовой связи
  • Радиопередатчики
  • Радиочастотные усилители мощности
  • Радиолокационные системы

Рекомендации по применению

  • Термическое управление: Обеспечьте адекватное охлаждение и радиатор для поддержания рабочей температуры транзистора.
  • Защита от ESD: Используйте антистатические меры предосторожности при обращении с компонентом.
  • Интеграция в схему: Следуйте рекомендациям производителя по схематической интеграции и настройке компонента для достижения оптимальных рабочих характеристик.

Основные технические характеристики

  • Диапазон частот: 2.5 - 2.7 ГГц
  • Выходная мощность: до 75 Вт
  • Рабочее напряжение: 28 В
  • Коэффициент усиления: 18 дБ при 2.6 ГГц, 28 В, 75 Вт
  • Эффективность: 53% при 2.6 ГГц, 28 В
  • Тепловое сопротивление (Rθjc): 0.24 °C/Вт
  • Корпус: SOT502A

Возможные аналоги

  • MRF6VP11KH: аналогичный LDMOS транзистор от NXP с немного другими рабочими параметрами.
  • BLF6G27-50,112: аналогичный транзистор с меньшей выходной мощностью (50 Вт).

Изучение дополнительных материалов и руководств от производителя поможет максимизировать производительность и надежность данного компонента в ваших проектах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК