BLF6G22LS-40P,118
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLF6G22LS-40P,118 от Ampleon
Общее описание
BLF6G22LS-40P,118 — это высокочастотный транзистор LDMOS, разработанный компанией Ampleon для применения в мощных задачах передачи радиочастотного сигнала. Этот транзистор предназначен для работы в диапазоне частот от 2.11 ГГц до 2.17 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 40 Вт при высоком коэффициенте усиления.
Преимущества
- Высокое усиление: Обеспечивает значительное усиление сигнала, что делает его идеальным для мощных передатчиков.
- Низкое тепловыделение: Оптимизированная конструкция для минимизации тепловых потерь при высоких уровнях мощности.
- Надёжность: Высокая надёжность и долговечность благодаря использованию LDMOS технологии.
Недостатки
- Узкий диапазон частот: Оптимизирован для использования в диапазоне 2.11–2.17 ГГц, что ограничивает его применение другими диапазонами.
- Высокое напряжение питания: Требует значительного напряжения питания (28 В), что может потребовать дополнительных мер по безопасности и регулировке питания.
Типовое использование
- Базовые станции: Широко используется в базовых станциях мобильной связи для усиления радиочастотного сигнала.
- Радиопередатчики: Отлично подходит для различных мощных радиопередатчиков и ретрансляторов.
- Военные и аэрокосмические приложения: Пригоден для использования в специализированных высокочастотных устройствах для военных и аэрокосмических задач.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Рекомендуется установка элемента охлаждения для управления тепловыми характеристиками и повышения долговечности устройства.
- Размещение в схеме: Проверьте електрические параметры и совместимость с другими компонентами схемы для предотвращения неисправностей.
- Безопасность: Убедитесь в соблюдении всех мер безопасности при работе с высоковольтными компонентами.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: 2.11 ГГц – 2.17 ГГц
- Выходная мощность: 40 Вт
- Усиление: 19 дБ
- Ток покоя: 410 мА
- Напряжение питания: 28 В
- Тип корпуса: SOT-1121B
- Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)
Возможные аналоги
- MRF6VP21K25H: Альтернативная модель от NXP с аналогичными характеристиками.
- PTFB213404EL: Высокоэффективный транзистор от Infineon, подходящий для схожих применений.
Этот транзистор идеально подходит для высокочастотных усилительных устройств, обеспечивая отличное сочетание мощности и эффективности.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.