BLF6G15L-40BRN,112

13 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLF6G15L-40BRN,112 от NXP

Общее описание

BLF6G15L-40BRN,112 — это мощный RF MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS от производителя NXP. Этот компонент оптимизирован для работы в диапазоне частот от 1.4 до 1.7 ГГц и предоставляет выходную мощность до 40 Вт. Одной из ключевых особенностей модели является высокая линейность и низкий уровень нелинейных искажений, что делает его идеальным для применения в современных телекоммуникационных системах.

Преимущества

  • Высокая мощность: До 40 Вт выходной мощности.
  • Широкий частотный диапазон: Оптимизирован для работы от 1.4 до 1.7 ГГц.
  • Высокая линейность и низкие искажения: Обеспечивает качество сигнала.
  • Надежность и долговечность: Разработан для длительной эксплуатации даже в жестких условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Стоимость: Мощные и высокочастотные компоненты могут быть дороже в сравнении с обычными транзисторами.
  • Сложность в применении: Требует опыт и знания для правильной интеграции в систему.

Типовое использование

  • Базовые станции для мобильной связи
  • Радиовещательные передатчики
  • Усилители мощности RF
  • Телекоммуникационные системы

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Необходимо использовать радиаторы или системы активного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Проектирование схемы: Проектируйте схемы с правильно рассчитанными импедансами для обеспечения максимальной эффективности.
  • Соблюдение условий работы: Внимательно соблюдайте допустимые напряжения и токи для предотвращения повреждения компонента.

Основные технические характеристики

  • Модель: BLF6G15L-40BRN,112
  • Производитель: NXP
  • Частотный диапазон: 1.4 - 1.7 ГГц
  • Максимальная выходная мощность: 40 Вт
  • Входная мощность: До 6 dB
  • Коэффициент усиления: 17.0 dB при 28V
  • Рабочее напряжение: 28 В
  • Технология: LDMOS
  • Корпус: SOT1112A

Возможные аналоги

  • MRF6VP2600: от компании Freescale Semiconductor, аналог с схожими характеристиками.
  • PD55003S-E: от компании STMicroelectronics, аналогичный мощный RF MOSFET.

Эти компоненты предоставляют схожие возможности и характеристики, что делает их пригодными для замены в схожих приложениях.

Заключение

BLF6G15L-40BRN,112 от NXP — это высокопроизводительный RF MOSFET, который идеально подходит для телекоммуникационных и радиовещательных приложений. С его мощностью, линейностью и надежностью, этот транзистор представляет собой отличное решение для усиления сигналов в широком диапазоне частот.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК