BLF6G13LS-250P,112

BLF6G13LS-250P,112 от NXP

Общее описание

BLF6G13LS-250P,112 – это высокопроизводительный LDMOS транзистор, специально разработанный для приложений, работающих на частотах до 1,3 ГГц. Данный компонент является идеальным выбором для усилителей мощности в базовых станциях сотовой связи и других телекоммуникационных системах.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 250 Вт
• Широкий диапазон частот: до 1,3 ГГц
• Высокий коэффициент усиления: до 17 дБ
• Надёжность и долговечность благодаря конструкции на базе LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)
• Повышенная эффективность и уменьшение тепловых потерь

Недостатки

• Требует хорошего радиатора для отвода большого количества тепла при высокой мощности.
• Сложность монтажа в связи с поверхностным способом крепления и необходимостью точного соблюдения условий пайки.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи
• Радиочастотные передатчики
• Системы профессиональной радиосвязи

Рекомендации по применению

• Обеспечьте хороший теплоотвод для предотвращения перегрева.
• Используйте компонент в условиях хорошо спроектированной схемы с учетом оптимальных значений тока и напряжения.
• Соблюдайте температурные и электрические режимы, указанные в технической документации.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Частота работы: до 1,3 ГГц
• Коэффициент усиления: 17 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Номинальная мощность: 250 Вт
• Напряжение пробоя: 100 В
• Тестовый ток: 100 мА
• Тип установки: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус: SOT-1121B
• Производитель: NXP Semiconductors

Возможные аналоги

• MRF6VP11KHR6 от NXP
• BLF7G22LS-130 от Ampleon
• AFT05MS004N от NXP

Используйте BLF6G13LS-250P,112 для создания эффективных и высокомощных радиочастотных модулей, где надежность и мощность имеют решающее значение.