BLF6G10LS-135R,112

22 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

NXP BLF6G10LS-135R,112

Общее описание

NXP BLF6G10LS-135R,112 — это мощный RF MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 920 МГц до 960 МГц и обеспечивает максимальную выходную мощность до 135 Вт. Он идеально подходит для использования в усилителях мощности базовых станций и других высокомощных радиочастотных приложениях.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 135 Вт, что делает его идеальным для мощных RF приложений.
  • Современная LDMOS-технология: Обеспечивает высокую эффективность и надежность.
  • Широкий диапазон входной и выходной импеданс: Уменьшает необходимость в сложных согласующих цепях.
  • Компактный корпус SOT502A: Обеспечивает удобную установку и эффективное тепловыделение.

Недостатки

  • Высокая цена: Высокопроизводительные компоненты могут быть дороже по сравнению с обычными MOSFET.
  • Требует эффективного охлаждения: Необходимо обеспечить надлежащее рассеивание тепла для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Усилители мощности базовых станций мобильной связи
  • Радиочастотные усилители передатчиков
  • Энергетические устройства для беспроводных систем связи

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надежное охлаждение с применением радиаторов или других систем охлаждения, чтобы предотвратить перегрев.
  • Используйте соответствующие схемы согласования импеданса для оптимальной производительности.
  • Учитывайте требования по защите от перегрузки и перенапряжения для увеличения надежности работы.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 920 МГц – 960 МГц
  • Выходная мощность (Pout): до 135 Вт
  • Коэффициент усиления: 18 дБ
  • Напряжение питания (Vds): 28 В
  • Ток (Idq): 1.8 А
  • Корпус: SOT502A
  • КПД: Высокий коэффициент эффективности при большей мощности

Возможные аналоги

  • NXP BLF6G20LS-150: Подобный RF MOSFET с аналогичными характеристиками, но работающий на другом частотном диапазоне.
  • Ampleon BLA6G10L-100: Альтернативный компонент с несколько меньшей выходной мощностью.
  • Infineon PTFA091202GL V4: Аналогичный компонент от другого производителя с похожими техническими параметрами.

Использование NXP BLF6G10LS-135R,112 гарантирует высокопроизводительные и надежные RF решения для ваших мощностных задач.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК