BLF647PS,112

37 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLF647PS,112 от Ampleon

Общее описание

BLF647PS,112 — это высокоэффективный RF MOSFET транзистор, разработанный компанией Ampleon. Этот мощный устройство использует технологию LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) и предназначен для работы на частотах до 1.3 ГГц. Он идеально подходит для использования в системах беспроводной связи, радиопередающих станциях и других приложениях, требующих высокой мощности и надежности.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 200 Вт, что обеспечивает значительное усиление сигнала.
  • Высокий коэффициент усиления: 17.5 дБ при 1.3 ГГц для большей эффективности.
  • Надежность и долговечность: Благодаря использованию передовой LDMOS технологии.
  • Эффективная тепловая работа: Сверхнизкое тепловое сопротивление обеспечивает добротность и уменьшение перегрева.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Обусловлена продвинутыми техническими характеристиками и технологией.
  • Необходимость в тщательном охлаждении: Требуется эффективная система для отвода тепла из-за высокой выходной мощности.

Типовое использование

  • Радиопередающие устройства: В том числе телевизионные передатчики и радиопередатчики.
  • Системы беспроводной связи: Антенны базовых станций и вышек операторов мобильной связи.
  • Аварийные системы связи: Включая системы связи экстренных служб.

Рекомендации по применению

  • Тщательное охлаждение: Учитывайте тепловые требования при проектировании системы охлаждения.
  • Качественная пайка: Обеспечьте надёжное соединение и применение теплопроводящих материалов.
  • Защита от перегрузок: Используйте схемы защиты от перегрева и перегрузки по току.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: До 1.3 ГГц
  • Коэффициент усиления: 17.5 дБ
  • Рабочее напряжение: 32 В
  • Тестовый ток: 100 мА
  • Выходная мощность: До 200 Вт
  • Максимальное напряжение: 65 В
  • Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
  • Корпус: SOT-1121B

Возможные аналоги

  • MRF6VP11KH: От NXP Semiconductors, сходные параметры и область применения.
  • PTF10147: От Infineon, также LDMOS-транзистор для высокочастотных приложений.

BLF647PS,112 — это надежное решение для ваших высокомощных RF-приложений, обеспечивающее высокую производительность и длительный срок службы устройства.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК