BLF574,112
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLF574,112 от Ampleon
Общее описание
BLF574,112 - это высокочастотный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, разработанный компанией Ampleon. Этот компонент предназначен для различных приложений в областях радио- и телевизионного вещания, радиолокации и промышленных радиочастотных систем. Транзистор BLF574,112 обеспечивает высокую выходную мощность и эффективность при работе на частотах до 225 МГц.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 400 Вт, что обеспечивает надежную работу в мощных радиочастотных приложениях.
- Высокая эффективность: благодаря использованию технологии LDMOS транзистор обладает улучшенными характеристиками по мощности и тепловыделению.
- Широкий диапазон напряжений: способен работать при напряжении до 50 В, что делает его универсальным для различных схем.
- Высокий коэффициент усиления: 26.5 дБ, что позволяет снизить количество каскадов усиления в схеме.
Недостатки
- Требует хорошего теплоотвода: из-за высокой мощности важно обеспечить эффективное охлаждение для предотвращения перегрева.
- Чувствительность к статическому электричеству: необходимо соблюдать меры предосторожности при обращении с компонентом, чтобы избежать повреждений.
Типовое использование
- Передатчики радиовещательных станций: для усиления радиочастотного сигнала.
- Радиолокационные системы: мощные усилительные каскады для радаров.
- Промышленные нагревательные системы: генерирование ВЧ на промышленных установках.
Рекомендации по применению
- Эффективное охлаждение: установка на мощный радиатор или использование активного охлаждения для предотвращения перегрева.
- Защита от статического электричества: использование антистатических браслетов и рабочих поверхностей при монтаже и обслуживании транзистора.
- Правильное расположение: обеспечить минимизацию паразитных индуктивностей и емкостей для сохранения высокой эффективности и стабильности работы.
Основные технические характеристики
- Техника: LDMOS
- Конфигурация: Двойной, с общим источником
- Частота: до 225 МГц
- Коэффициент усиления: 26.5 дБ
- Тестовое напряжение: 50 В
- Рейтинг по току: 56 A
- Мощность на выходе: 400 Вт
- Корпус: SOT539A
- Тип монтажа: Шасси
Возможные аналоги
- BLF578: транзистор с аналогичными характеристиками, также разработанный компанией Ampleon.
- MRFE6VP61K25H: высокочастотный транзистор от компании NXP Semiconductors с схожими параметрами.
BLF574,112 является надежным и эффективным выбором для применения в мощных ВЧ-приложениях, требующих высокой выходной мощности и стабильности работы. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор позволяет создавать надежные и производительные схемы радиочастотного усиления.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.