BLF573S,112 от Ampleon

Общее описание

BLF573S,112 — это высокоэффективный RF MOSFET транзистор с технологией LDMOS, разработанный Ampleon USA Inc. для использования в мощных радиочастотных приложениях. Этот транзистор обеспечивает отличные показатели выходной мощности, стабильности и эффективности при работе на частотах до 225 МГц. Идеально подходит для промышленных, научных и медицинских применений (ISM), а также для радиочастотных усилителей мощности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 300 Вт.
• Высокий коэффициент усиления: 27.2 дБ.
• Надежность: Высокая устойчивость к напряжению до 110 В.
• Эффективность: Оптимизированная структура для минимизации потерь.
• Простота монтажа: Корпус SOT502B, удобный для установки и тепловыделения.

Недостатки

• Чувствительность к статику: Требует осторожного обращения и использования средств защиты от электростатических разрядов (ESD).
• Требует активного охлаждения: Для эффективной работы и предотвращения перегрева необходима система охлаждения.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители мощности в ISM-приложениях.
• Усилители мощности в телевизионных и радио передатчиках.
• Промышленные и научные устройства, требующие высоких уровней радиочастотной мощности.
• Военные радиоприемники и передатчики.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обязательно предусматривать эффективное охлаждение, чтобы поддерживать рабочие температуры в допустимых пределах.
• Антистатическая защита: Применять антистатические меры при монтаже и обслуживании.
• Правильное питание: Обеспечить стабильное и чистое питание 50 В для оптимальной работы компонента.
• Монтаж: Следовать рекомендациям производителя для оптимального монтажа и пайки.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS.
• Частота: до 225 МГц.
• Коэффициент усиления: 27.2 дБ.
• Рабочее напряжение: 50 В.
• Ток при тестировании: 900 мА.
• Выходная мощность: до 300 Вт.
• Максимальное напряжение: 110 В.
• Корпус: SOT502B.
• Тип монтажа: шасси.

Возможные аналоги

1. BLF574 от Ampleon: Имеет схожие характеристики, но может быть рассчитан на другие диапазоны частот.
2. MRF151G от NXP: Тоже RF MOSFET, подходящий для высоких мощностей.
3. PTF10043 от Infineon: Альтернативный RF MOSFET с высокой выходной мощностью и усилением.

Заключение

BLF573S,112 от Ampleon — это мощный и надежный RF MOSFET, идеально подходящий для приложений, требующих высокой выходной мощности и надежности. С учетом рекомендаций по применению и охлаждению, данный компонент обеспечивает высокую эффективность и стабильность в самых различных радиочастотных устройствах.