BLF2425M7LS250P,11
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание для BLF2425M7LS250P,11 от Ampleon
Общее описание
BLF2425M7LS250P,11 - это мощный RF LDMOS транзистор от компании Ampleon, предназначенный для использования в радиочастотных приложениях. Этот компонент идеально подходит для работы на частоте 2.45 ГГц, предлагая высокую выходную мощность в 250 Вт и высокий коэффициент усиления в 15 дБ. Транзистор поставляется в компактном корпусе SOT539B, что делает его удобным для поверхностного монтажа (SMD).
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 250 Вт, что обеспечивает отличную производительность.
- Высокий коэффициент усиления: 15 дБ, что улучшает эффективность усиления сигнала.
- Широкий диапазон рабочих напряжений: до 65 В, что увеличивает гибкость в различных приложениях.
- Компактные размеры: корпус SOT539B для удобного монтажа на печатную плату.
- Надежность и долговечность: срок службы компонента соответствует высоким стандартам.
Недостатки
- Требует тщательного термоуправления: мощные компоненты выделяют значительное количество тепла.
- Необходимость профессиональных навыков для монтажа и настройки: сложные радиочастотные схемы требуют опыта и знаний.
Типовое использование
- Индустриальные и профессиональные усилители мощности: используется в радиоэлектронных устройствах для усиления сигнала.
- Беспроводные связи: применяется в базовых станциях и передатчиках.
- Медицинское оборудование: для использования в радиочастотной абляции и других медицинских устройствах.
- Микроволновые печи: подходящий компонент для генерации микроволн.
Рекомендации по применению
- Теплоотвод и охлаждение: Обязательно использование радиаторов или других методов охлаждения для отвода тепла.
- Экранирование: Для предотвращения электромагнитных помех экранируйте компоненты и трассировку.
- Правильная пайка: Используйте подходящие флюсы и соблюдайте рекомендованные температуры пайки.
Основные технические характеристики
- Частота работы: 2.45 ГГц
- Выходная мощность: 250 Вт
- Коэффициент усиления: 15 дБ
- Напряжение тестирования: 28 В
- Ток тестирования: 20 мА
- Максимальное напряжение: 65 В
- Тип корпуса: SOT539B
- Конфигурация: Двойной, общая затвор
- Технология: LDMOS
Возможные аналоги
- BLF2425M7LS140,11 от Ampleon: Подобный LDMOS транзистор с меньшей выходной мощностью (140 Вт).
- MRFE6VP6300H от NXP Semiconductors: Мощный LDMOS транзистор с выходной мощностью 300 Вт для работы на частоте до 600 МГц.
Этот транзистор обеспечивает отличные параметры для радиочастотных приложений, требующих высокой мощности и надежности.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.