BLF2425M7LS140,112
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание для продукта BLF2425M7LS140,112 от NXP
Общее описание
BLF2425M7LS140 — это мощный радиочастотный (RF) MOSFET-транзистор LDMOS (латеральный диффузионный металл-оксид-полупроводниковый), предназначенный для использования в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях на частоте 2,45 ГГц. Этот транзистор обладает высокой мощностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для различных приложений, требующих надежного и стабильного усиления сигнала.
Преимущества
- Высокая мощность: Способен выдавать мощность до 140 Вт при работе на частоте 2,45 ГГц.
- Высокая эффективность: Оптимизирован для высокоэффективной работы, что снижает тепловыделение и улучшает общую производительность системы.
- Широкий диапазон рабочих температур: Обеспечивает стабильную работу в экстремальных условиях.
Недостатки
- Требует хорошего теплового управления: Высокая мощность означает существенное тепловыделение, для эффективного управления которым может потребоваться дополнительное охлаждение.
- Чувствителен к статическому электричеству: Требует осторожного обращения и использования антистатических мер.
Типовое использование
- Промышленные и научные приложения.
- Медицинские радиочастотные устройства.
- Усилители мощности в системах беспроводной связи.
- Высокочастотные генераторы.
Рекомендации по применению
- Обеспечьте эффективное тепловое управление, используя подходящие радиаторы и радиационные системы охлаждения.
- При проектировании печатной платы (PCB) учитывайте наличие зон для отвода тепла и размещайте компоненты с учетом минимизации тепловых путей.
- Используйте антистатические браслеты и коврики при работе с компонентами для предотвращения повреждений от электростатических разрядов.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: LDMOS RF MOSFET
- Частота: 2,45 ГГц
- Коэффициент усиления: 18,5 дБ
- Напряжение питания (Vds): 28 В
- Максимальная выходная мощность: 140 Вт
- Корпус: SOT502B
- Рабочие токи: До 1,3 A при тестовом напряжении 28 В
- Максимальное напряжение: 65 В
Возможные аналоги
- BLF2425M7LS100: Мощный RF MOSFET от NXP, оптимизированный для тех же приложений, но с меньшей выходной мощностью до 100 Вт.
- MRF24300: Альтернативный RF MOSFET-транзистор от другого производителя, с похожими характеристиками, но разными рабочими параметрами.
Таким образом благодаря высоким показателям мощности и эффективности, BLF2425M7LS140 является отличным выбором для профессиональных разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.