BLF2425M7LS140,112

30 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для продукта BLF2425M7LS140,112 от NXP

Общее описание

BLF2425M7LS140 — это мощный радиочастотный (RF) MOSFET-транзистор LDMOS (латеральный диффузионный металл-оксид-полупроводниковый), предназначенный для использования в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях на частоте 2,45 ГГц. Этот транзистор обладает высокой мощностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для различных приложений, требующих надежного и стабильного усиления сигнала.

Преимущества

  • Высокая мощность: Способен выдавать мощность до 140 Вт при работе на частоте 2,45 ГГц.
  • Высокая эффективность: Оптимизирован для высокоэффективной работы, что снижает тепловыделение и улучшает общую производительность системы.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Обеспечивает стабильную работу в экстремальных условиях.

Недостатки

  • Требует хорошего теплового управления: Высокая мощность означает существенное тепловыделение, для эффективного управления которым может потребоваться дополнительное охлаждение.
  • Чувствителен к статическому электричеству: Требует осторожного обращения и использования антистатических мер.

Типовое использование

  • Промышленные и научные приложения.
  • Медицинские радиочастотные устройства.
  • Усилители мощности в системах беспроводной связи.
  • Высокочастотные генераторы.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте эффективное тепловое управление, используя подходящие радиаторы и радиационные системы охлаждения.
  • При проектировании печатной платы (PCB) учитывайте наличие зон для отвода тепла и размещайте компоненты с учетом минимизации тепловых путей.
  • Используйте антистатические браслеты и коврики при работе с компонентами для предотвращения повреждений от электростатических разрядов.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: LDMOS RF MOSFET
  • Частота: 2,45 ГГц
  • Коэффициент усиления: 18,5 дБ
  • Напряжение питания (Vds): 28 В
  • Максимальная выходная мощность: 140 Вт
  • Корпус: SOT502B
  • Рабочие токи: До 1,3 A при тестовом напряжении 28 В
  • Максимальное напряжение: 65 В

Возможные аналоги

  • BLF2425M7LS100: Мощный RF MOSFET от NXP, оптимизированный для тех же приложений, но с меньшей выходной мощностью до 100 Вт.
  • MRF24300: Альтернативный RF MOSFET-транзистор от другого производителя, с похожими характеристиками, но разными рабочими параметрами.

Таким образом благодаря высоким показателям мощности и эффективности, BLF2425M7LS140 является отличным выбором для профессиональных разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК