BLF2324M8LS200PU

BLF2324M8LS200PU от Ampleon

Общее описание

BLF2324M8LS200PU - это высокоэффективный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, разработанный компанией Ampleon. Он предназначен для работы в диапазоне частот от 2300 до 2400 МГц и может обеспечивать выходную мощность до 200 Вт. Этот компонент идеально подходит для использования в телекоммуникационных и радиочастотных усилителях мощности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 200 Вт RF мощности.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает высокий уровень усиления сигнала.
• Высокая эффективность: Технология LDMOS обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
• Широкий диапазон рабочих частот: Подходит для применения в диапазоне частот от 2300 до 2400 МГц.

Недостатки

• Не рекомендуется для новых разработок: В связи с техническим прогрессом могут быть доступны более современные и эффективные компоненты.
• Сложность теплоотвода: Требует эффективного охлаждения при высоких уровнях мощности.

Типовое использование

• Телекоммуникации: Используется в базовых станциях и передающих устройствах.
• Радиочастотные усилители: Идеален для усилителей мощности в диапазоне 2300-2400 МГц.
• Беспроводные системы связи: Применяется в системах беспроводной связи и передачи данных.

Рекомендации по применению

• Обеспечение надежного охлаждения для поддержания оптимальной производительности и предотвращения перегрева.
• Использование соответствующих схем импедансного согласования для максимальной эффективности и минимизации потерь.
• Предоставление стабилизированного источника питания для обеспечения стабильной работы и минимизации шумов.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 2300 - 2400 МГц
• Выходная мощность: До 200 Вт
• Коэффициент усиления: 18.5 дБ типично
• Рабочее напряжение: 28 В
• Эффективность: До 62%
• Корпус: SOT1250A-1

Возможные аналоги

• BLF645 без ALC от Ampleon
• MRFE6S9125HR3 от NXP Semiconductors
• MRF6S9220HS от Freescale Semiconductor

Заключение

BLF2324M8LS200PU - это надежный и высокопроизводительный RF MOSFET, идеально подходящий для применения в телекоммуникационных и беспроводных системах в диапазоне частот 2300-2400 МГц. При правильном использовании и эффективном охлаждении этот компонент способен обеспечить высокий уровень усиления и выходной мощности.