BLF189XRASU

RF MOSFET BLF189XRASU от Ampleon

Общее описание

RF MOSFET BLF189XRASU - это высокопроизводительный полевой транзистор, разработанный для работы в высокочастотных диапазонах. Этот компонент представляет собой часть семейства LDMOS транзисторов от компании Ampleon и предназначен для использования в усилителях мощности для беспроводной связи и радиопередающих устройств. Транзистор заключен в корпусе SOT539B и обеспечивает высокую выходную мощность, большую линейность и надежность при относительно низком уровне шума.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 1700 Вт
• Высокая линейность: минимальные искажения сигнала
• Стабильность на высоких частотах: до 500 МГц
• Низкое энергопотребление: благодаря использованию LDMOS технологии
• Повышенная надежность: благодаря высококачественным материалам и конструкции

Недостатки

• Высокая стоимость: относительно аналогичных компонентов
• Требует сложного охлаждения: из-за высокой мощности и рассеяния тепла

Типовое использование

• Усилители мощности: для базовых станций мобильной связи
• Радиопередатчики: в системах радиосвязи, телевещательных станциях
• Авиационные и морские радиолокационные системы: для усиления передающего сигнала

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: обеспечить надлежащее охлаждение для улучшения надежности и предотвращения перегрева
• Защита от перегрузок: использовать схемы защиты от перенапряжения и перегрева
• Монтаж: строго следовать рекомендациям производителя по пайке и монтажу для обеспечения надежности контактов и минимизации индуктивных эффектов

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Конфигурация: двойной, общим исток
• Рабочая частота: до 500 МГц
• Коэффициент усиления: 26,2 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Ток теста: 150 мА
• Выходная мощность: до 1700 Вт
• Максимальное напряжение: 135 В
• Тип монтажа: поверхностный
• Корпус: SOT539B

Возможные аналоги

• BLF888A от Ampleon: аналогичный высокочастотный транзистор с уменьшенной выходной мощностью
• MRF151G от NXP Semiconductors: RF MOSFET с несколько отличающимися характеристиками
• PTFA091301E от Infineon: транзистор для аналогичных приложений с разными параметрами мощности

Этот компонент является идеальным выбором для высоконадежных и высокопроизводительных радиочастотных усилителей, обеспечивающих регулирование сигнала и максимальную производительность в тяжелых условиях эксплуатации.