BLF188XRSU

51 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF188XRSU от Ampleon

Общее описание

BLF188XRSU — это высокомощный РФ MOSFET транзистор с LDMOS технологией от компании Ampleon. Этот компонент предназначен для усиления мощности в радиочастотных приложениях, таких как передающие устройства и базовые станции. Он обеспечивает великолепную линейность и высокий КПД, что делает его идеальным выбором для использования в условиях высокой мощности.

Преимущества

  • Высокая мощность: До 1400 Вт выходной мощности, что позволяет использовать этот транзистор в мощных передаточных устройствах.
  • Высокий КПД: Благодаря LDMOS технологии, транзистор имеет высокий коэффициент полезного действия.
  • Высокая надежность: Устройство выполнено в корпусе SOT539B, который обеспечивает долговечность и стабильную работу.
  • Широкий диапазон рабочих частот: Подходит для работы на частотах до 108 МГц, что делает его универсальным для различных радиочастотных приложений.

Недостатки

  • Сложность охлаждения: Высокая мощность требует использования эффективных систем охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Требовательность к монтажу: Поверхностный монтаж требует точности в установке и пайке для обеспечения надежного контакта.

Типовое использование

  • Передающие устройства
  • Базовые станции мобильной связи
  • Радиочастотные усилители мощности
  • Радиовещательные станции

Рекомендации по применению

  1. Охлаждение: Используйте эффективную систему охлаждения для обеспечения стабильной работы при высоких уровнях мощности.
  2. Монтаж: Убедитесь в точности пайки и надежности контактов при поверхностном монтаже для предотвращения выхода из строя.
  3. Тестирование: Регулярно проверяйте параметры устройства в рабочем режиме для предотвращения перегрева и отказа.

Основные технические характеристики

  • Конфигурация: Двойной, общий исток
  • Частота: До 108 МГц
  • Коэффициент усиления: 24.4 дБ
  • Напряжение теста: 50 В
  • Номинальное напряжение: 135 В
  • Выходная мощность: До 1400 Вт
  • Корпус: SOT539B, поверхностный монтаж
  • Ток теста: 40 мА

Возможные аналоги

  1. MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors
  2. BLF578XR от Ampleon
  3. MRFE6VP5600HSR5 от NXP Semiconductors

Этот транзистор является отличным выбором для высокоэнергетических радиочастотных приложений, предлагая высокую мощность и эффективность, что делает его надежным и долговечным решением.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК