BLF178P,112

71 040,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLF178P,112 от Ampleon

Общее описание

BLF178P,112 - это мощный высокочастотный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, предназначенный для работы в диапазоне частот до 108 МГц. Он разработан для приложений радиочастотной усилительной техники, обеспечивая высокую выходную мощность и надежность.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 1200 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных передающих системах.
  • Высокий коэффициент усиления: 28.5 дБ, что обеспечивает хороший усилительный фактор в широком диапазоне частот.
  • Низкие искажения: благодаря технологии LDMOS, обеспечивается высокая линейность и низкие искажения сигнала.
  • Надежность: построен на для длительного срока службы и устойчивости к различным внешним воздействиям.

Недостатки

  • Стоимость: высокая производительность и надежность сопровождаются относительно высокой стоимостью компонента.
  • Размер: транзистор требует корпуса SOT539A, что может быть большим для некоторых компактных приложений.

Типовое использование

  • Радиопередающие системы: используется в передатчиках высокой мощности для различных радиочастотных приложений.
  • Базовые станции: подходит для использования в базовых станциях мобильной связи.
  • Радиолюбительские передатчики: пригоден для использования в мощных радиолюбительских передатчиках.

Рекомендации по применению

  • Эффективная система охлаждения: из-за высокой выходной мощности рекомендуется использовать эффективную систему охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Правильное напряжение питания: соблюдать рекомендации производителя по питанию (50 В) для оптимальной работы и долговечности устройства.
  • Фильтрация сигнала: применять необходимые фильтры для минимизации шумов и помех.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: LDMOS
  • Конфигурация: Двойная, Common Source
  • Рабочая частота: до 108 МГц
  • Коэффициент усиления: 28.5 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Рейтинг на выходе: 1200 Вт
  • Номинальная емкость: 110 В
  • Корпус: SOT539A

Возможные аналоги

  • BLF178: аналогичная модель с близкими характеристиками.
  • MRF1K50H: высокочастотный RF MOSFET от других производителей может также быть аналогом для некоторых приложений.

Документируя все эти аспекты, инженеры и пользователи смогут лучше понять особенности и применения BLF178P,112, чтобы эффективно интегрировать его в свои проекты.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК