BLF0910H9LS750PJ

Описание для BLF0910H9LS750PJ от Ampleon

Общее описание

BLF0910H9LS750PJ – это высокоэффективный RF MOSFET транзистор LDMOS, предназначенный для разных применений в области радиочастотной электроники. Он обеспечивает надежную работу на частоте 915 МГц и выходную мощность до 750 Вт. Уровень усиления составляет 21,5 дБ, что делает этот транзистор отличным выбором для усиления выхода радиопередатчиков и других высокочастотных устройств.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает мощность до 750 Вт, что позволяет использовать его в мощных радиопередатчиках.
• Высокий уровень усиления: Усиление составляет 21,5 дБ, что повышает эффективность передачи сигнала.
• Надежность и долговечность: Спроектирован для работы в условиях высокой частоты и температуры, обеспечивая стабильную работу.
• Стабильность: Применение LDMOS технологии обеспечивает низкий уровень искажений и высокую линейность сигнала.

Недостатки

• Требует активного охлаждения: Для работы на максимальной мощности необходимо обеспечивать эффективное охлаждение.
• Специфические монтажные требования: Комплектуются в корпусе SOT539B, что требует точного соблюдения правил монтажа.

Типовое использование

• Мощные радиопередатчики
• Усиление сигнала в базовых станциях сотовой связи
• Индустриальные, научные и медицинские передатчики (ISM)
• Военные приложения

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Для эффективной и долговечной работы необходима система активного охлаждения. Важно обеспечить отвод тепла от корпуса SOT539B.
• Правильная установка: Соблюдайте рекомендации производителя по монтажу и пайке компонента.
• Импедансное согласование: Внимание к согласованию импеданса для минимизации отраженных сигналов и повышения эффективности.

Основные технические характеристики

• Частота: 915 МГц
• Усиление: 21,5 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Тестовый ток: 250 мА
• Выходная мощность: до 750 Вт
• Максимальное напряжение: 108 В
• Корпус: SOT539B
• Технология: LDMOS

Возможные аналоги

• BLF0910H9Lxxx: Другие модели серии BLF0910H9 с разной мощностью и усилением.
• NXP MRFxxxx: Аналогичные высокочастотные транзисторы от NXP Semiconductors.
• Cree CG2Hxx: Высокочастотные транзисторы на базе GaN от Cree Inc.

Заключение

BLF0910H9LS750PJ от Ampleon представляет собой мощный и эффективно работающий компонент для усиления радиочастотных сигналов. Этот продукт остается одним из лучших выборов для применения в мощных радиотехнических устройствах благодаря своим высоким показателям производительности и надежности.