BLF0910H9LS600U

26 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для BLF0910H9LS600U от Ampleon

Общее Описание

BLF0910H9LS600U - это высокоэффективный LDMOS RF МОП-транзистор (MOSFET) от компании Ampleon. Разработанный для работы в диапазоне частот от 900 МГц до 930 МГц, данный компонент обеспечивает выходную мощность до 600 Вт и усиление до 18.6 дБ. Он предназначен для использования в радиочастотных усилителях с высоким уровнем мощности.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Способен обеспечить до 600 Вт выходной мощности, что делает его идеальным для мощных RF приложений.
  • Высокие коэффициенты усиления и линейности: Усиление 18.6 дБ помогает улучшить характеристики передачи сигнала.
  • Надежность: Использование LDMOS технологии обеспечивает надежность и долговечность работы компонента.
  • Устойчивость к высоким напряжениям: Максимальное рабочее напряжение составляет 108 В.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Качественные компоненты премиум-класса могут быть дорогими.
  • Требования к охлаждению: Высокая выходная мощность приводит к выделению значительного количества тепла, что требует хорошего теплоотвода.

Типовое Использование

  • Усилители мощности для базовых станций сотовой связи
  • Радиочастотное оборудование медицинского назначения
  • Промышленные RF системы
  • Военные и авиационные радиочастотные системы

Рекомендации по Применению

  • Монтаж: Компонент рекомендуется монтировать на шасси для обеспечения эффективного теплоотвода.
  • Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева и поддержания надежной работы.
  • Пуско-наладка: При проектировании каскадов усиления необходимо учитывать параметры усиления и напряжения для максимальной производительности.

Основные Технические Характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Диапазон частот: 900 МГц ~ 930 МГц
  • Усиление: 18.6 дБ
  • Рабочее напряжение: 50 В
  • Тестовый ток: 90 мА
  • Выходная мощность: 600 Вт
  • Максимальное напряжение: 108 В
  • Тип корпуса: SOT502B

Возможные Аналоtи

  • MRF6VP41KH от NXP - RF транзистор с аналогичными характеристиками, но возможно различие в диапазоне частот.
  • PTFC260007FL от Infineon Technologies - другой вариант RF МОП-транзистора с похожими параметрами и выходной мощностью.

Надеемся, что это описание поможет вам лучше понять возможности и характеристики BLF0910H9LS600U для использования в ваших проектах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК