BLF0910H9LS600J

RF MOSFET BLF0910H9LS600J от Ampleon

Общее описание

BLF0910H9LS600J — высокомощный полевой транзистор (MOSFET) на основе ЛДМОС (LDMOS) технологии, предназначенный для использования в частотном диапазоне от 900 МГц до 930 МГц. Он характеризуется высокой выходной мощностью до 600 Вт и высоким коэффициентом усиления. Эти характеристики делают его отличным выбором для применения в радиочастотных усилителях мощности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 600 Вт.
• Высокий коэффициент усиления: 18,6 дБ.
• Надежность и долговечность: благодаря продвинутой ЛДМОС технологии.
• Широкий входной напряжной диапазон: до 50 В.

Недостатки

• Специфичный частотный диапазон: не подходит для применения за пределами заданного частотного диапазона (900 МГц - 930 МГц).
• Требует эффективного теплоотвода: высокая выходная мощность требует соответствующего управления теплом.

Типовое использование

• Усилители мощности в телекоммуникационных системах.
• Радиопередающие устройства.
• Системы радиосвязи диапазона 900 МГц.

Рекомендации по применению

• Обеспечить эффективное охлаждение устройства для предотвращения перегрева.
• Следует учитывать особенности монтажа корпуса SOT-502B для оптимальной работы.
• Избегать превышения номинальных рабочих параметров для увеличения срока службы устройства.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 900 МГц — 930 МГц
• Коэффициент усиления: 18,6 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Ток в рабочем режиме: 90 мА
• Выходная мощность: 600 Вт
• Максимальное напряжение: 108 В
• Корпус: SOT-502B

Возможные аналоги

• BLF0910H9LS600 от того же производителя, но с другим корпусом.
• MRFE6VP6300H от NXP Semiconductors — схожий по характеристикам и применению.

Заключение

RF MOSFET BLF0910H9LS600J от Ampleon — это мощный и надежный компонент для применения в высокочастотных усилителях мощности. Благодаря высоким характеристикам и качественному исполнению, он является предпочтительным выбором для профессиональных разработчиков телекоммуникационных систем.