BLD6G21L-50,112

22 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLD6G21L-50,112 от NXP

Общее описание

BLD6G21L-50,112 – это высокоэффективный RF MOSFET транзистор LDMOS, предназначенный для применения в широкополосных и узкополосных приложениях, работающих в диапазоне частот до 1.5 - 2.1 ГГц. Этот компонент предлагает высокую производительность в компактном корпусе SOT502A.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 50 Вт выходной мощности, что делает его идеальным для высокомощных приложений.
  • Широкий частотный диапазон: Работает в диапазоне частот от 1.5 до 2.1 ГГц, что делает его универсальным для различных RF применений.
  • Низкий термический сопротивление: Повышает надежность и долговечность компонента.
  • Компактный корпус: SOT502A обеспечивает компактность конструкции и удобство монтажа на плате.

Недостатки

  • Внешние компоненты: Для оптимальной работы может потребоваться интеграция с дополнительными компонентами.
  • Стоимость: Высокопроизводительные характеристики могут быть связаны с увеличенной стоимостью.

Типовое использование

  • Мобильные базовые станции: Для усиления сигналов в диапазоне частот до 2.1 ГГц.
  • Телевизионные и радиовещательные передатчики: Обеспечивает мощный и стабильный сигнал для ТВ и радио передатчиков.
  • Радиолокационные системы: Помогает усилить сигнал для радиолокационного оборудования.

Рекомендации по применению

  • Тепловое управление: Убедитесь, что предусмотрено достаточное охлаждение для отвода тепла от компонента.
  • Правильное согласование: Оптимально согласуйте вход и выход для максимальной эффективности работы.
  • Изоляция от высоких напряжений: Защитите компонент от возможных перенапряжений.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 1.5 - 2.1 ГГц
  • Выходная мощность: до 50 Вт
  • Коэффициент усиления: 17 дБ при 2.1 ГГц
  • Рабочее напряжение: до 28 В
  • Корпус: SOT502A
  • Термическое сопротивление: 0.85 °C/W

Возможные аналоги

  • BLF6G20-50: Аналогичный высокомощный транзистор от NXP с похожими характеристиками.
  • MRF6VP11KHR5: Высокочастотный MOSFET транзистор от другой компании с аналогичными параметрами.

Заключение

Транзистор BLD6G21L-50,112 от NXP – это надежный выбор для высокомощных и широкополосных приложений. Его высокие технические характеристики и широкий диапазон рабочих частот делают его идеальным решением для современных RF и телекомуникационных систем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК