BLD6G21L-50,112
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLD6G21L-50,112 от NXP
Общее описание
BLD6G21L-50,112 – это высокоэффективный RF MOSFET транзистор LDMOS, предназначенный для применения в широкополосных и узкополосных приложениях, работающих в диапазоне частот до 1.5 - 2.1 ГГц. Этот компонент предлагает высокую производительность в компактном корпусе SOT502A.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 50 Вт выходной мощности, что делает его идеальным для высокомощных приложений.
- Широкий частотный диапазон: Работает в диапазоне частот от 1.5 до 2.1 ГГц, что делает его универсальным для различных RF применений.
- Низкий термический сопротивление: Повышает надежность и долговечность компонента.
- Компактный корпус: SOT502A обеспечивает компактность конструкции и удобство монтажа на плате.
Недостатки
- Внешние компоненты: Для оптимальной работы может потребоваться интеграция с дополнительными компонентами.
- Стоимость: Высокопроизводительные характеристики могут быть связаны с увеличенной стоимостью.
Типовое использование
- Мобильные базовые станции: Для усиления сигналов в диапазоне частот до 2.1 ГГц.
- Телевизионные и радиовещательные передатчики: Обеспечивает мощный и стабильный сигнал для ТВ и радио передатчиков.
- Радиолокационные системы: Помогает усилить сигнал для радиолокационного оборудования.
Рекомендации по применению
- Тепловое управление: Убедитесь, что предусмотрено достаточное охлаждение для отвода тепла от компонента.
- Правильное согласование: Оптимально согласуйте вход и выход для максимальной эффективности работы.
- Изоляция от высоких напряжений: Защитите компонент от возможных перенапряжений.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: 1.5 - 2.1 ГГц
- Выходная мощность: до 50 Вт
- Коэффициент усиления: 17 дБ при 2.1 ГГц
- Рабочее напряжение: до 28 В
- Корпус: SOT502A
- Термическое сопротивление: 0.85 °C/W
Возможные аналоги
- BLF6G20-50: Аналогичный высокомощный транзистор от NXP с похожими характеристиками.
- MRF6VP11KHR5: Высокочастотный MOSFET транзистор от другой компании с аналогичными параметрами.
Заключение
Транзистор BLD6G21L-50,112 от NXP – это надежный выбор для высокомощных и широкополосных приложений. Его высокие технические характеристики и широкий диапазон рабочих частот делают его идеальным решением для современных RF и телекомуникационных систем.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.