BLC9H10XS-500AZ

22 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLC9H10XS-500AZ — RF MOSFET LDMOS от Ampleon

Общее описание

BLC9H10XS-500AZ — это высокоэффективный MOSFET транзистор LDMOS для работы на высоких частотах (RF), разработанный компанией Ampleon. Этот компонент идеально подходит для применения в телекоммуникационных и радиочастотных системах благодаря своему высокому коэффициенту усиления и высокой выходной мощности.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 500 Вт, что делает его идеальным для базовых станций и мощных передатчиков.
  • Высокий коэффициент усиления: 18,9 дБ, что обеспечивает отличное усиление сигнала.
  • Широкий диапазон частот: поддерживаемые частоты от 617 до 960 МГц.
  • Стабильная работа: при номинальном напряжении 48 В и тестовом токе 500 мА.

Недостатки

  • Требование к охлаждению: для управления высокой выходной мощностью требуется эффективная система охлаждения.
  • Сложность в монтаже: поверхностный монтаж требует точных технологических операций.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители: идеален для использования в высокомощных RF усилителях.
  • Телекоммуникационные системы: базовые станции и другие компоненты инфраструктуры.
  • Военные и авиационные системы: высокочастотные передатчики и приемные системы.

Рекомендации по применению

  • Эффективное охлаждение: использование радиаторов или активного охлаждения для поддержания стабильной температуры.
  • Соблюдение частотного диапазона: обеспечивает стабильную работу в пределах 617-960 МГц.
  • Тестирование при номинальных условиях: проверка всех параметров при напряжении 48 В и токе 500 мА.

Основные технические характеристики

  • Тип: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной, общий исток
  • Частотный диапазон: от 617 до 960 МГц
  • Коэффициент усиления: 18,9 дБ
  • Номинальное напряжение: 48 В
  • Тестовый ток: 500 мА
  • Выходная мощность: 500 Вт
  • Номинальное напряжение разряда: 105 В
  • Монтаж: Поверхностный (SMD)
  • Корпус: SOT-1273-1

Возможные аналоги

  • BLF184XR: от того же производителя, но с другими характеристиками для различных применений.
  • MRFE6VP5600H: аналог от другой компании с близкими характеристиками.

Этот MOSFET транзистор предлагает отличное сочетание мощности и эффективности, что делает его отличным выбором для сложных и высокомощных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК